国家高技术研究发展计划(2002AA30260)
- 作品数：6 被引量：17H指数：2
- 相关作者：郭红金莹李德仁张亮陈世元更多>>
- 相关机构：辽宁石油化工大学北京信息科技大学安泰科技股份有限公司更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 有机LED聚合物薄膜的制备工艺研究被引量：2
- 2003年
- 采用两次重复的 2 3 析因实验设计 ,应用方差分析方法 ,研究了旋涂工艺中聚合物溶液的浓度 ,匀胶机的旋涂速度和加速度对旋涂的薄膜厚度和薄膜均匀性的影响 .实验和分析的结果表明 :溶液浓度和旋涂速度对膜厚和薄膜均匀性具有显著性的影响 ,而旋涂加速度对它们的影响则不显著 .这一结论对于制备优质薄膜。
- 钟志有刘陈尹盛徐重阳
- 关键词：方差分析薄膜厚度
- Co_(60.15)Fe_(4.35)Si_(12,5)B_(15)非晶合金在低频脉冲磁场作用下纳米晶化的巨磁阻抗效应研究被引量：1
- 2008年
- 对Co60.15Fe4.35S i12,5B15非晶合金进行低频脉冲磁场处理,当脉冲频率固定,脉冲磁场强度为250Oe时观察到较大的GM I效应。研究了脉冲磁场作用产生巨磁阻抗的机理:脉冲磁场作用产生的磁致伸缩能降低了非晶合金的形核势垒,使非晶合金得以纳米晶化,进而提高了材料的软磁性能,获得较大的GM I效应。
- 金莹郭红
- 关键词：非晶合金纳米晶化脉冲磁场
- 基于巨磁阻抗效应的新型高灵敏度磁敏传感器被引量：13
- 2007年
- 结合材料学与微电子学,利用信号的调制与解调技术,设计制作出一种基于非晶材料巨磁阻抗效应的新型高灵敏度磁敏传感器。该传感器尺寸小,为28mm×15mm×4mm;灵敏度高,达到6.5mV/μT;非线性度小于0.78%F.S。文中介绍了非晶丝的特性、传感器的电路设计和实验数据分析。
- 陈世元张亮李德仁卢志超滕功清
- 关键词：磁传感器巨磁阻抗灵敏度
- 低频脉冲磁场处理Co_(68.15)Fe_(4.35)Si_(12.5)B_(15)的穆斯堡尔谱研究
- 2010年
- 用低频脉冲磁场处理非晶合金Co68.15Fe4.35Si12.5B15,用穆斯堡尔谱结合透射电镜对处理前后的试样进行了微结构分析。结果表明,在低频脉冲磁场处理下,非晶合金Co68.15Fe4.35Si12.5B15发生了纳米晶化,晶化析出相为体心立方α-Fe（Si）,析出量为2.743%-23.960%,晶粒尺寸约2-10 nm,且晶化量与磁场强度和脉冲频率均有关系。
- 张雷郭红
- 关键词：低频脉冲磁场纳米晶化穆斯堡尔谱
- 磁性薄带横向磁导率的计算
- 2009年
- 采用微分算子消元法解Maxwell偏微分方程组得到磁性薄带巨磁阻抗效应下横向磁导率通式,结合Landau-Lifshite方程求出驱动电流中、高频率段横向磁导率具体表达式,计算结果表明,交流磁化下薄带磁导率与外磁场、驱动电流频率大小有关,同时具有取向相关性。
- 郭红晁月盛
- 关键词：巨磁阻抗效应磁化率
- 低频脉冲磁场致Co_(60.15)Fe_(4.35)Si_(12.5)B_(15)非晶合金纳米晶化的GMI被引量：2
- 2008年
- 采用低频脉冲磁场致Co60.15Fe4.35Si12.5B15非晶合金纳米晶化,晶化过程温升小于5℃,有效避免了材料变脆,获得了优于常规等温退火的纳米晶软磁性能。从实验中观察到较大的GMI效应,且最佳驱动电流频率为2MHz,横向磁各向异性场为0.9kA/m。
- 金莹郭红
- 关键词：非晶合金纳米晶化脉冲磁场
