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国家自然科学基金(69976016)

作品数:17 被引量:31H指数:4
相关作者:程兴奎周均铭黄绮连洁王青圃更多>>
相关机构:山东大学中国科学院青岛大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 7篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇超晶格
  • 7篇晶格
  • 6篇探测器
  • 6篇红外
  • 6篇红外探测
  • 6篇红外探测器
  • 5篇量子阱红外探...
  • 5篇GAAS/A...
  • 4篇多量子阱
  • 4篇光电
  • 4篇光电流
  • 2篇电流特性
  • 2篇电子态
  • 2篇多量子阱结构
  • 2篇砷化镓
  • 2篇量子
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇计算法
  • 2篇光电流特性
  • 2篇光致

机构

  • 17篇山东大学
  • 12篇中国科学院
  • 2篇青岛大学
  • 1篇聊城大学

作者

  • 17篇程兴奎
  • 12篇黄绮
  • 12篇周均铭
  • 5篇王青圃
  • 5篇连洁
  • 2篇姜军
  • 2篇张健
  • 2篇贺利军
  • 2篇张飒飒
  • 2篇马洪磊
  • 2篇李华
  • 1篇魏爱俭
  • 1篇张瑞峰
  • 1篇徐现刚
  • 1篇黄柏标
  • 1篇蒋民华
  • 1篇闫循领
  • 1篇陈大明
  • 1篇任红文
  • 1篇刘士文

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇量子电子学报
  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇量子光学学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇第五届全国光...

年份

  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 9篇2001
  • 1篇2000
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs多量子阱的光电流谱
2000年
在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关。
程兴奎周均铭黄绮
关键词:GAAS量子阱光电流谱光跃迁
The reflection and interference of electrons at the interface of superlattice被引量:2
2002年
程兴奎
关键词:超点阵电子状态
GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光被引量:1
2001年
在温度T =77K ,测量了GaAs/Al0 3Ga0 7As超晶格的光致发光 ,发现在波数 v =1 3 1 56cm- 1和 v =1 2 2 89cm- 1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰 .理论分析表明 ,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光 ;而弱峰与底层GaAs重掺Si有关 .由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度 .理论计算值与实验结果符合得很好 .
程兴奎周均铭黄绮
关键词:GAAS/ALGAAS超晶格光致发光
GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉
2001年
在 77K温度 ,测量了 Ga As/ Al Ga As多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=15 89cm- 1 ,即λ=6 .2 9μm附近存在一个强电流峰 ,分析认为 ,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关 .
程兴奎马洪磊周均铭黄绮
关键词:多量子阱结构光电流
Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉被引量:2
2001年
由电子波干涉的观点出发 ,理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态 .通过红外光激发 ,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰 .理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致 ,并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致 .
程兴奎黄柏标徐现刚任红文刘士文蒋民华
关键词:多量子阱砷化镓ALGAAS
宽带量子阱红外探测器
<正>量子阱红外探测器较 HgCdTe 红外探测器有许多优点,因而近十年来量子阱红外探测器的研究取得了很大的进展,现已研制出256×256元,256×320元 GaAs 量子阱红外探测器面阵列,并用于手提式红外相机,成为...
程兴奎周均铭黄绮王文新
文献传递
超晶格结构中电子的波动性被引量:2
2001年
在温度T =77K ,测量了GaAs/AlGaAs超晶格的光电流 ,观测到在ν =15 89cm-1有一个强电流峰 ,而在ν =1779,2 12 9和 2 40 1cm-1附近存在弱电流峰 .分析认为 ,这些电流峰与电子的波动性有关 .
程兴奎周均铭黄绮
关键词:超晶格波动性GAAS/ALGAAS砷化镓
量子阱红外探测器响应峰值波长的Raman散射测量被引量:3
2005年
通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外探测器,也不需要对多量子阱结构材料进行抛光处理,方法简便,结果可靠.
程兴奎连洁王青圃周均铭黄绮闫循领
关键词:量子阱红外探测器峰值波长多量子阱材料
GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光被引量:1
2006年
在室温下测量了GaAs/A l0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波长λ=761 nm处存在一较强的发光光峰,此发光峰目前尚未见报道。经理论分析表明,此峰是量子阱中的第一激发态电子与受主空穴复合发光。实验还观测到在λ=786 nm处,λ=798 nm处和λ=824 nm处分别存在一发光峰,分析表明λ=786 nm处的发光峰为量子阱阱中费米能级附近的电子与轻空穴复合发光;λ=798 nm处的发光峰为量子阱内的基态电子到轻空穴的复合发光;λ=824 nm处的发光峰为阱中激子复合复合发光。理论计算与实验结果符合的很好。
贺利军程兴奎张健李华
关键词:GAAS/ALGAAS超晶格光致发光
量子阱红外探测器能带结构的计算被引量:6
2003年
利用电子波在阱与垒的界面上的反射及干涉效应,计算了量子阱红外探测器(QWIP)的能带结构,并对其适用性进行了分析和讨论。通过与K P模型比较发现,本方法对计算较宽势阱(阱宽大于4nm)的量子阱结构的电子态适合。在垒宽和阱宽不变条件下,用两种方法计算得到的AlGaAs/GaAs量子阱材料中Al组分x与吸收峰值波长λp的关系曲线基本相同。结果说明,在较宽的范围内,本方法对QWIP能带结构的计算是适用且简便的。
连洁王青圃程兴奎李静姜军
关键词:量子阱红外探测器电子波QWIP
共2页<12>
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