国家重点实验室开放基金(KFJJ200916)
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 相关作者：郭太良叶芸郭凡蒋亚东洪春燕更多>>
- 相关机构：福州大学电子科技大学集美大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程化学工程更多>>
- 应用于FED Al/Ag/Al导电复合薄膜的研究被引量：1
- 2011年
- 利用Ag的高温抗氧化能力,采用磁控溅射沉积Al/Ag/Al导电复合薄膜,并在480℃下进行热处理。扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)研究表明磁控溅射的Al/Ag/Al导电复合薄膜表面平整,热处理后表面Al膜生成致密的氧化层。溅射沉积和热处理过程中Ag和Al原子的相互扩散,最后形成富Ag的Ag-Al合金和Ag3Al化合物。Al/Ag/Al导电复合薄膜比Ag/Al复合薄膜的电阻率增大了一个数量级,导电复合薄膜热处理后导电性能更优,电阻率约为19.4×10-6Ω.cm。
- 杨兰郭太良
- 关键词：电阻率
- 阳极氧化电压对TiO_2纳米管阵列生长及场发射性能的影响被引量：2
- 2013年
- 室温下在HF水溶液中,利用阳极氧化法在纯钛表面制备了规则有序的TiO2纳米管阵列,应用场致发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱对纳米管阵列表面形貌、断面结构及元素组成进行表征,并对所得样片的场发射性能进行测试,研究了阳极氧化电压对TiO2纳米管阵列形貌及场发射性能的影响。结果表明:在一定范围内增大氧化电压,可增大纳米管的管径、壁厚和管长,但壁厚变化比较小。随着氧化电压的增大,开启场强先降低后增大。当氧化电压为10V时,所获得的TiO2纳米管阵列开启场强最低,为3.15 V/μm,在6 h内8 V/μm电场下保持了稳定的场发射,电流密度为0.85 mA/cm2。
- 洪春燕叶芸郭凡颜敏蒋亚东郭太良
- 关键词：阳极氧化TIO2纳米管阵列场发射
- 电泳纳米Ag对碳纳米管阴极场发射性能的影响被引量：3
- 2010年
- 采用电泳和丝网印刷法在薄膜金属电极上制备Ag与碳纳米管(CNT)的复合阴极,系统研究了纳米Ag对CNT阴极场发射性能的影响,并对此导电机理进行了分析。利用扫描电子显微镜表征纳米Ag和CNT阴极的形貌,电泳沉积的纳米Ag粒不团聚,纳米Ag粒较均匀和致密。并与CNT阴极高温共烧结后,纳米Ag粒迁移至CNT阴极中,填补了CNT阴极与金属底电极间的接触空缺,还与CNT交错连接,形成CNT与金属底电极间良好的电学接触,改善了金属底电极与CNT间的电子传输和热传输。实验结果表明,利用纳米Ag作为过渡层可以改善和提高CNT阴极的场发射性能、亮度和稳定性。
- 叶芸郭太良林贺黎威志蒋亚东
- 关键词：光电子学电泳纳米AG碳纳米管场发射
- 阳极氧化法制备壁垒型Al_2O_3绝缘膜的研究被引量：1
- 2013年
- 采用阳极氧化法在Al膜上制备具有绝缘性能的壁垒型Al2O3膜,研究不同成分比例的电解液、阳极氧化电压对壁垒型Al2O3膜性能的影响。利用能量分散谱和扫描电镜观测壁垒型Al2O3膜的元素组成、表面形貌及厚度,并对其绝缘耐压性进行了测试。结果表明,所制备的Al2O3膜厚度均为纳米量级,在95%乙二醇,1.9%癸二酸铵,3.1%硼酸的电解液中,以300V恒定电压制备的壁垒型Al2O3膜拥有很好的绝缘性能,击穿场强可达5.25MV/cm。
- 洪春燕叶芸郭凡李松林之晓蒋亚东郭太良
- 关键词：阳极氧化绝缘性能击穿场强
