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浙江省科技厅新苗人才计划(2009R406063)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：蔡雅楠梁大宇崔灿唐为华更多>>
相关机构：浙江理工大学更多>>
发文基金：浙江省科技厅新苗人才计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇溅射
  • 1篇硅纳米晶
  • 1篇SIO2
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇浙江理工大学

作者

  • 1篇唐为华
  • 1篇崔灿
  • 1篇梁大宇
  • 1篇蔡雅楠

传媒

  • 1篇纳米科技

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅纳米晶/SiO2多层薄膜的制备
2012年
采用射频磁控溅射结合后续热处理方法制备了镶嵌在SiO2基质中的Si纳米晶（nanocrystalline silicon,nc-Si）薄膜,实验结果表明,在单层nc-Si薄膜中,随着硅含量的增加,Si纳米晶的尺寸、分布密度也增加;在多层nc-Si/SiO2薄膜中,SiO2层会起到限制nc-Si层中Si纳米晶生长的作用,使多层结构中Si纳米晶的尺寸分布更加集中。
蔡雅楠梁大宇崔灿唐为华
关键词：硅纳米晶射频磁控溅射
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