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国家重点基础研究发展计划(2003CB314702)

作品数:23 被引量:49H指数:4
相关作者:雷威张晓兵宋航蒋红吕文辉更多>>
相关机构:东南大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国海洋大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 22篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 7篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 13篇纳米
  • 12篇碳纳米管
  • 12篇纳米管
  • 11篇场发射
  • 4篇场致发射
  • 3篇调制
  • 3篇栅极
  • 3篇场发射显示
  • 3篇场发射阴极
  • 3篇场致发射显示
  • 2篇调制特性
  • 2篇氧化锌
  • 2篇阴极
  • 2篇有限元
  • 2篇质谱
  • 2篇质谱分析
  • 2篇三极结构
  • 2篇丝网印刷
  • 2篇碳纳米管薄膜
  • 2篇驱动电路

机构

  • 15篇东南大学
  • 6篇中国科学院长...
  • 3篇中国海洋大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇浙江广信智能...
  • 1篇合肥工业大学
  • 1篇静冈大学
  • 1篇南京师范大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇南京工程学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 13篇张晓兵
  • 12篇雷威
  • 6篇宋航
  • 5篇蒋红
  • 4篇李志明
  • 4篇狄云松
  • 4篇金亿鑫
  • 4篇缪国庆
  • 4篇赵海峰
  • 4篇吕文辉
  • 3篇杨夏喜
  • 3篇宋翠华
  • 3篇曹连振
  • 3篇元光
  • 2篇娄朝刚
  • 2篇张宇宁
  • 2篇穆辉
  • 2篇赵辉
  • 2篇陈静
  • 2篇储开荣

传媒

  • 5篇真空电子技术
  • 4篇真空科学与技...
  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇发光学报
  • 2篇电子器件
  • 1篇科学通报
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇Scienc...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 9篇2008
  • 6篇2007
  • 5篇2006
  • 4篇2005
  • 2篇2004
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
新型场致发射显示器件的研究现状与展望被引量:9
2005年
场致发射显示器(FieldEmissionDisplay)继承了传统CRT的优良显示性能,是一种具有广阔应用前景的平板显示器件。本文介绍了FED的发展近况,重点是碳纳米管阴极场致发射显示,并对normal-gate、un-der-gate三极结构以及double-gate四极结构等器件结构特点进行了讨论。
王金婵杨杨张晓兵雷威王琦龙张宇宁
关键词:场致发射碳纳米管三极结构
具有汇聚特性的场发射电子源的模拟研究
2008年
提出了一种具有汇聚特性的新型场发射阴极结构,利用有限元方法模拟计算了此种阴极结构在不同参数条件下的电场分布、电子轨迹,考察了不同参数对电子汇聚效果的影响,给出了此种场发射阴极的栅极-阴极间距、栅极宽度、阳极电压、栅极电压等基本参数对汇聚效果的影响。模拟计算结果表明,电子束的汇聚程度随着栅极-阴极间距的增大而增大,随着栅极宽度的增大而减小;电子束的汇聚程度与阳极电压、栅极电压参数密切相关,并存在最优参数。
蒋进京宋翠华曹崇龙元光蒋红宋航
关键词:场发射有限元
Field emission study of CNTs on metal tips被引量:1
2008年
The field emission characteristics of multiwalled carbon nanotubes grown on metal tips are studied at various temperatures. It is found that emission current at a given applied electric field increased with the temperature, and the stability of the current did not change. The dependence upon temperature varies quite differently with the metal substrates. This may result from the asymmetry of the CNTs and the interface effect between CNT and underlay.
GUO DaBoYUAN GuangSONG CuiHuaGU ChangZhiWANG Qiang
关键词:场发射温度特性
场发射显示器的基板形变分析被引量:1
2006年
采用碳纳米管作为发射源的碳纳米管场致发射显示器是一种新型的平板显示器件。本文由FED基板形变方程出发,用ANSYS软件模拟了阳极基板的厚度对基板形变的影响,得出了厚度和基板形变的关系。在实际制备中采用了新型的基板结构,不仅在显示均匀性方面得到提高,而且降低了成本。
袁旦储开荣狄云松雷威张晓兵
关键词:场致发射显示器ANSYS有限元法
金属微尖生长碳纳米管的变温场发射研究被引量:1
2007年
考察了温度变化对生长在金属针尖上的碳纳米管场发射的影响,发现碳纳米管场发射电流随温度升高而增大,场发射电流的稳定性基本没有变化,但是其温度依赖性随金属衬底不同而有明显的差异.这可能是来自碳纳米管的不均匀性以及碳纳米管与衬底界面接触势垒随温度变化的影响.
郭大勃元光宋翠华顾长志王强
关键词:场发射碳纳米管温度特性
场发射显示器中支撑体的优化设计
2007年
在场发射显示器中,支撑体起到支持阴阳极基板以抵抗大气压力下形变和应力的作用.在不同的支撑体配置方式下,基板的形变也是不同的.基板的形变将改变器件内部的电场分布,进而影响发射体的发射性能以及屏上光点的亮度.文中研究了柱型和墙型支撑体在不同配置方式下对于屏幕亮度均匀性的影响.研究表明等边三角形方式排列的支撑体分布是最优的分布方式,相对于传统的矩阵排列的支撑体分布方式而言,可使屏幕上亮度的周期性波动降低三分之一.
顾伟雷威张晓兵
关键词:场发射显示器支撑体优化设计亮度均匀性
生长温度对纳米氧化锌场发射性能的影响被引量:4
2008年
采用锌粉和银粉为蒸发源,用热蒸发法不同温度下制备了四针状纳米氧化锌,并以单独的锌粉做对照。采用扫描电子显微镜(SEM)观察其形貌,X射线衍射(XRD)谱表征其晶体结构。采用丝网印刷方法将其制备为场致电子发射阴极,将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极结构场致发射显示屏,并进行了场致电子发射特性对比实验。结果表明较高温度制备的氧化锌具有较好的场致发射性能;掺杂银粉的蒸发源制备的样品的发射性能明显优于没有掺杂银粉的样品。实验证明ZnO是一种优良的场致发射冷阴极材料,在真空电子方面具有广阔的应用前景。
杨夏喜张晓兵杨扬雷威李晶屈科张鹏李驰丁美斌
关键词:氧化锌场致电子发射平板显示
CVD法和丝印法制作的碳纳米管场致发射冷阴极的研究
2005年
本文研究了丝网印刷法和CVD生长法制备的碳纳米管冷阴极的场致发射性能.结果表明,在没有模板的情况下,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径有关,随催化剂颗粒的直径变化而变化,生长方向是随机的,但大电流发射稳定性较差;用丝网印刷方法制作的碳纳米管致发射冷阴极,场发射电流发射较稳定.
穆辉张晓兵雷威娄朝刚朱春晖
关键词:碳纳米管场发射CVD
n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算被引量:1
2008年
结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1eV。导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象。
元光曹崇龙宋翠华宋航屿拹秀隆三村秀典
关键词:场发射电子能谱
32×32矩阵式FED的驱动电路被引量:17
2004年
FED( Field Emission Display)是一种新型的平板显示技术 ,本文简要介绍了其基本结构、工作原理和驱动电路 ,并给出了一种在 FED开发过程中用于展示和分析显示屏的二极管结构的驱动电路。该电路可以驱动 3 2× 3 2矩阵式FED显示屏 ,进行动态字符显示和简单的动态图像显示 ,采用脉宽调制的方法来实现 1 6级灰度 ,其动态扫描的占空比为 1 /3
宗耿张晓兵雷威张宇宁
关键词:场致发射显示驱动电路
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