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教育部科学技术研究重点项目(206095)

作品数:6 被引量:7H指数:2
相关作者:张洪涛肖春华许正望卢高杰祝勋更多>>
相关机构:湖北工业大学武汉软件工程职业学院更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目湖北省教育厅重点项目教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 2篇单电子晶体管
  • 2篇硬件
  • 2篇硬件设计
  • 2篇室温
  • 2篇嵌入式
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇晶体管
  • 1篇电流
  • 1篇电性质
  • 1篇电子对
  • 1篇电阻
  • 1篇信号
  • 1篇信号处理
  • 1篇信号处理器
  • 1篇视频
  • 1篇数字信号
  • 1篇数字信号处理
  • 1篇数字信号处理...
  • 1篇碳化硅

机构

  • 6篇湖北工业大学
  • 2篇武汉软件工程...

作者

  • 6篇张洪涛
  • 2篇许正望
  • 2篇肖春华
  • 1篇陈志华
  • 1篇耿晶晶
  • 1篇祝勋
  • 1篇李利荣
  • 1篇王琰
  • 1篇黄杰
  • 1篇邬易培
  • 1篇宋玲
  • 1篇卢高杰
  • 1篇鲁宇宁

传媒

  • 2篇湖北工业大学...
  • 1篇武汉工业学院...
  • 1篇现代商贸工业
  • 1篇湖南工业大学...
  • 1篇电子设计工程

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 3篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
未掺杂纳米线高电阻与其晶体微结构光电性质
2006年
讨论了纳米线的电阻测量及引起高电阻的原因,即宽带多型、纳米尺寸和未掺杂本征阻值大等.对纳米碳化硅线分别进行了直径为5 nm、10 nm、20 nm纳米线电阻测量,在电压为100 V以内测量其电阻达100 MΩ.此外,纳米线MOSFET晶体管室温出现I-V高电流特性.讨论了这一现象的产生可能性,提出了假设,认为纳米线晶体中的电子在某种机制的作用下,形成电子对,这时,库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子才能解释这一现象.其公式为ΔE=(ne)2C.对纳米线进行拉曼光谱鉴定和投射电子显微镜鉴别,显示出纳米线为4H碳化硅多型的衍射和光谱特点.
张洪涛邬易培鲁宇宁许正望
关键词:纳米线电阻COOPER对室温
基于GPRS modem嵌入式Internet的实现被引量:1
2011年
根据现代信息农业的发展需求,在嵌入式无线远程环境监测系统的研究的基础之上,成功地完成了GPRSmodem的internet接入。远端基于ARM的嵌入式模块在μC/OS-Ⅱ操作系统的调度下实现信号的采集,在通过串口与模块相连的GPRSmodem与Internet建立连接后,将数据发送到现场服务器,从而完成了底层的采集与发送。
肖春华张洪涛祝勋卢高杰耿晶晶
关键词:嵌入式系统
嵌入式技术在特种工业缝纫机上的应用被引量:4
2014年
为解决国外工业缝纫机控制系统价格昂贵,国内用户难以接受的现实问题,通过基于ARM和FPGA的嵌入式技术,完成了一款特种工业缝纫机的控制部分的技术方案,提出相关硬件模块的设计和设计过程中应该注意的问题。软硬件平台具有良好的通用性、灵活性和扩展性。方案的实现具有良好的社会效益和经济效益。
肖春华张洪涛
关键词:工业缝纫机嵌入式技术硬件设计
基于TI DSP的红外图像采集系统硬件设计
2006年
介绍了一种基于高性能定点数字信号处理器(DSP)TMS320C6416的红外图像处理系统.本系统以DSP为核心处理器.辅以单片机统一系统时序,完成红外视频采集、图像增强和视频输出的功能.适应性实用性强,调试方便.
张洪涛陈志华
关键词:数字信号处理器红外图像处理视频
室温似单电子晶体管高电流分析
2009年
在实验中观察到纳米线金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)室温下出现Ⅰ-Ⅴ高电流似单电子库仑阻塞特性。分析了这一现象产生的机理,提出了似单电子库仑阻塞模型,认为纳米线晶体中的结构发生变化,造成特殊的"岛",电子在耦合机制的作用下,形成类似的库伯电子对,在"岛"上实现似单电子隧穿。这时,库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子,这可造成充电能增大,在室温下隧穿。由于耦合电子对的出现,随栅压加大,使电子隧穿时,既可实现库仑阻塞,又使电流加大,室温下出现高电流台阶。
张洪涛许正望李利荣黄杰王琰宋玲
关键词:单电子晶体管电子对
纳米线MOSFET量子电容讨论被引量:2
2006年
讨论了纳米线MOSFET量子电容测量及影响因素,同时讨论了计算方法,得出量子电容为1.2 aF。观察到室温单电子遂穿现象,是一个单电子晶体管。提出了一种新的模型,解释室温出现大电流单电子库仑阻塞效应,认为是类似于库柏对电子对纳米线岛“似单电荷”的库仑阻塞效应起作用,亦即进入岛的非单子而是电子对,出岛的也如此。这样就解释了大电流量子台阶出现的现象。
张洪涛
关键词:纳米线碳化硅单电子晶体管
共1页<1>
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