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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-11-0068)

作品数：8 被引量：49H指数：4
相关作者：文岐业陈智张怀武杨青慧荆玉兰更多>>
相关机构：电子科技大学南开大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金教育部科学技术研究重大项目更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 6篇太赫兹
  • 5篇赫兹
  • 4篇调制
  • 3篇调制器
  • 3篇太赫兹波
  • 3篇二氧化钒
  • 2篇氧化钒薄膜
  • 2篇相变
  • 2篇光控
  • 2篇硅基
  • 2篇二氧化钒薄膜
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化铝
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇通信
  • 1篇通信系统
  • 1篇全光
  • 1篇阈值电压
  • 1篇酰亚胺

机构

  • 8篇电子科技大学
  • 1篇南开大学

作者

  • 8篇文岐业
  • 6篇张怀武
  • 6篇陈智
  • 5篇杨青慧
  • 4篇荆玉兰
  • 3篇孙丹丹
  • 3篇田伟
  • 2篇邱东鸿
  • 2篇董凯
  • 2篇赖伟恩
  • 1篇常胜江
  • 1篇林列
  • 1篇赵碧辉
  • 1篇李胜
  • 1篇熊瑛
  • 1篇刘海涛
  • 1篇李伟
  • 1篇李吉宁
  • 1篇王湘辉

传媒

  • 5篇物理学报
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
石墨烯太赫兹调制器及330GHz无线通信系统被引量：1
2014年
现有太赫兹无线通信系统通常采用微波倍频或直接调源的方式。本文从太赫兹波空间调制技术出发,研究了一种基于直接调制技术的太赫兹无线通信系统。重点探索了一种基于石墨烯/半导体硅的复合结构(GOS),研究出调制速率达到1 MHz,调制深度50%以上,工作频带覆盖0.2 THz^2 THz频段的新型全光学太赫兹调制器。在此基础上,构建了330 GHz载波频率的太赫兹无线通信系统,实现了1 Mbps的通信速率。
刘海涛文岐业杨青慧陈智孙丹丹田伟张怀武
关键词：GHZ石墨烯
硅基全光宽带太赫兹幅度调制器的研究被引量：4
2015年
提出了一种基于掺金硅的全光学宽带太赫兹波幅度调制器,研究了金(Au)点阵掺杂后硅(Si)体内的少数载流子寿命及其太赫兹波调制特性.实验结果表明,掺杂的Au原子为Si中的光生电子-空穴对提供了有效复合中心,使其少数载流子寿命由原来十几微秒降低至110 ns左右.利用波长915 nm调制激光作为抽运光源,在340 GHz载波的动态调制测试中获得4.3 MHz的调制速率和21%的调制深度,使Si基调制器的调制速率提高了两个数量级.该全光太赫兹调制器可工作在整个太赫兹频段内,具有极化不敏感特性,因而在太赫兹波高速和宽带调控方面具有重要的应用价值,也是构建光控型Si基太赫兹功能器件的重要基础.
田伟文岐业陈智杨青慧荆玉兰张怀武
关键词：太赫兹波调制器光控
基于VO_2相变的光控太赫兹调制器被引量：5
2014年
基于VO2薄膜相变特性,通过在石英基底上制备VO2薄膜和亚波长金孔阵列,并在理论和实验上研究了金属孔阵列与VO2薄膜置于基底同侧和异侧的两种太赫兹(THz)调制器。系统研究了在光泵浦条件下两种样品的THz波的传输特性。结果表明,随着泵浦光功率的改变,两种结构的器件均可以实现对THz波强度的调制。对比分析两种结构器件的THz透射谱发现,紧邻金属孔阵列的金属相VO2能够有效地抑制THz表面等离子体的局域透射增强效应,使调制器的调制深度得到显著增强,这对基于相变材料调制器的设计具有重要意义。
李伟谷文浩李吉宁常胜江莫漫漫文岐业王湘辉林列
关键词：调制器VO2薄膜
金属Pt薄膜上二氧化钒的制备及其电致相变性能研究被引量：4
2013年
通过引入SiO2氧化物缓冲层,在金属Pt电极上利用射频磁控溅射技术成功制备出高质量的VO2薄膜.详细研究了SiO2厚度对VO2薄膜的晶体结构、微观形貌和绝缘体—金属相变(MIT)性能的影响.结果表明厚度0.2μm以上的SiO2缓冲层能够有效消除VO2薄膜与金属薄膜之间的巨大应力,制备出具有明显相变特性的VO2薄膜.当缓冲层达到0.7μm以上,获得的薄膜具有明显的(011)晶面择优取向,表面平整致密,相变前后电阻率变化达到3个数量级以上.基于该技术制备了Pt-SiO2/VO2-Au三明治结构,通过在垂直膜面方向施加很小的驱动电压,观察到明显的阶梯电流跳跃,证实实现了电致绝缘体—金属相变过程.该薄膜制备工艺简单,性能稳定,器件结构灵活可应用于集成式电控功能器件.
邱东鸿文岐业杨青慧陈智荆玉兰张怀武
关键词：二氧化钒薄膜相变特性阈值电压
基于圆台结构的超宽带极化不敏感太赫兹吸收器被引量：12
2013年
本文提出一种基于圆台形吸收单元的超宽带、极化不敏感的超材料太赫兹吸收器.该超材料吸收器采用金属薄膜金和介质层二氧化硅交替叠加的多层结构.采用商业软件CST Studio Suite 2009时域求解器计算了其在0—10 THz波段内的吸收率A(ω),在2—10 THz之间实现了对入射太赫兹波的超宽频带强吸收.仿真结果表明,由于其圆台形单元结构,在器件垂直方向上形成一系列不同尺寸的微型吸收器,产生了吸收频点相连的多频吸收峰.利用不同吸收峰的耦合叠加效应,获得超过8 THz的超宽带太赫兹波吸收,吸收强度达到92.3%以上.这一结构具有超宽带强吸收,360极化不敏感以及易于加工等优越特性,因而在太赫兹波探测器、光谱成像以及隐身技术方面具有潜在的应用.
莫漫漫文岐业陈智杨青慧李胜荆玉兰张怀武
关键词：太赫兹波超宽带
硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究被引量：13
2015年
本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO2)薄膜.该薄膜具有显著的绝缘体—金属相变特性,相变电阻变化超过3个数量级,热滞回线宽度约为6°C.基于VO2薄膜构建了平面二端器件并测试了不同温度下I-V曲线,观测到超过2个数量级的电流跃迁幅度,显示了优越的电致相变特性.室温下电致相变阈值电压为8.6V,电致相变弛豫电压宽度约0.1 V.随着温度升高到60°C,其电致相变所需要的阈值电压减小到2.7 V.本实验制备的VO2薄膜在光电存储、开关、太赫兹调控器件中具有广泛的应用价值.
熊瑛文岐业田伟毛淇陈智杨青慧荆玉兰
关键词：二氧化钒硅基片氧化铝
二氧化钒薄膜低温制备及其太赫兹调制特性研究被引量：13
2013年
针对二氧化钒(VO2)薄膜在可调谐太赫兹功能器件中的应用,利用低温磁控溅射技术,在太赫兹和光学频段透明的BK7玻璃上制备出高质量的VO2薄膜.晶体结构和微观形貌分析显示薄膜为单相VO2单斜金红石结构,具有明显的(011)晶面择优取向,结构致密,表面平整.利用四探针技术和太赫兹时域光谱系统分析了薄膜的绝缘体-金属相变特性,发现相变过程中薄膜电阻率变化达到4个数量级,同时对太赫兹透射强度具有强烈的调制作用,调制深度高达89%.通过电学相变和太赫兹光学相变特性的对比研究,证实薄膜的电阻率突变主要与逾渗通路的形成有关,而太赫兹幅度的调制则来源于薄膜中载流子浓度的变化.该薄膜制备简单,成膜质量高,太赫兹调制性能优异,可应用于太赫兹开关和调制器等集成式太赫兹功能器件.
孙丹丹陈智文岐业邱东鸿赖伟恩董凯赵碧辉张怀武
关键词：二氧化钒薄膜太赫兹波调制
基于金属孔阵列的聚酰亚胺薄膜太赫兹探测被引量：2
2013年
优化设计了多种不同孔径和形状的太赫兹波段的亚波长金属孔阵列结构,结合超薄低折射率的聚酰亚胺(PI)薄膜,探索了太赫兹时域光谱技术对超薄低折射率的探测灵敏性。利用飞秒微加工技术制备了一系列亚波长金属孔阵列结构,利用太赫兹时域光谱技术测试了阵列结构的反射波谱,获得了强烈的反射共振现象。然后在亚波长金属孔阵列结构背面叠加PI薄膜,结果表明太赫兹反射峰出现了显著低频移动现象。利用这一现象,实现了低至10μm的PI薄膜的有效探测,说明亚波长金属孔阵列结构在太赫兹传感领域对检测超薄低折射率薄膜材料有极强敏感性。
董凯赖伟恩孙丹丹文岐业张怀武
关键词：太赫兹
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