北京市科技新星计划(Z121103002512017)
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 相关作者：郑坤韩晓东张泽高攀廖志明更多>>
- 相关机构：北京工业大学浙江大学昆士兰大学更多>>
- 发文基金：北京市科技新星计划国家自然科学基金高等学校全国优秀博士学位论文作者专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 弯曲应变下单根GaAs纳米线的电学性能的原位透射电子显微镜研究被引量：5
- 2015年
- 在透射电子显微镜下,对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中,利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术,选取了单根GaAs纳米线并将纳米线两端与两根钨针尖连接固定。控制可移动的钨针尖,使GaAs纳米线发生弯曲变形同时获得相应的电流-电压曲线。有限元分析表明当纳米线的两端都固定时,纳米线同时承受了压缩应变和拉伸应变,其中压缩应变分布更为广泛。随着变形增加,GaAs纳米线的电导率增加了55%,这可能归因于弯曲变形下压缩与拉伸应变对GaAs纳米线能带结构的共同作用。
- 高攀王疆靖王晓东廖志明邵瑞文郑坤韩晓东张泽
- 关键词：压阻效应电导率
- 透射电镜电学测试样品杆与扫描电镜联合系统的搭建
- 2016年
- 透射电子显微镜电学测试样品杆是用于透射电子显微镜中测试样品外场加载下电学性能的专用仪器。本文介绍通过对法兰及其它对接接口的系列设计,使该系统可应用于扫描电子显微镜中。该系列设计改造,能够大大拓展该电学测试系统的应用范围。以单根Si纳米线为例,在扫描电子显微镜中利用该电学测试系统实现Si纳米线弯曲变形下电输运性能的研究。
- 矫丽丽郑坤王晋高攀邵瑞文张跃飞韩晓东张泽
- 关键词：扫描电镜透射电镜电学性能
- Ag掺杂对Ge2 Sb2 Te5结晶行为的影响被引量：3
- 2014年
- 通过磁控溅射仪制备了Ge2Sb2Te5(GST)和Ag10.6(GST)89.4薄膜,利用X射线衍射(XRD)、电阻-温度(RT)测试、透射电子显微学以及径向分布函数(RDF)等方法对比研究了GST和Ag10.6(GST)89.4的结晶过程和微观结构及其演化的差异。发现掺Ag的薄膜非晶态、晶态电阻均比GST更高,而且结晶过程只有非晶相到面心立方相(fcc)的转变,没有出现GST的非晶到fcc再到六方相(hcp)的过程,XRD分析进一步证实了这一结果。同时,透射电镜原位加热实验证实了在300℃时,Ag10.6(GST)89.4仍然保持着fcc结构,而GST中已经出现了hcp相。通过统计230℃下时效处理的晶态薄膜的晶粒尺寸,发现Ag10.6(GST)89.4的平均晶粒尺寸小于Ge2Sb2Te5薄膜的,这可能是造成其晶态电阻高于GST的主要原因。
- 张滔郑坤张斌邵瑞文韩晓东张泽
- 关键词：AG掺杂相变材料磁控溅射透射电镜
- 应变加载下Si纳米线电输运性能的原位电子显微学研究被引量：2
- 2014年
- 半导体纳米材料超大的弹性极限使其物理性能具有很宽的调谐范围,被认为是应变工程理想的研究材料,引起了人们广泛的关注.本研究中,利用聚焦离子束技术从p型Si的单晶薄膜上切割出?100?取向的单根纳米线,在透射电子显微镜中利用纳米操控系统对其加载弯曲形变,同时实时监测其电流-电压曲线的变化,研究弯曲应变对其电学性能的影响.结果表明,随着应变的增大,纳米线输运性能明显增强,当应变接近2%时,输运性能随应变的提升接近饱和;当应变达到3%以后,输运性能有时会略微下降,这可能由塑形事件导致的.本实验结果可能会对Si应变工程起到重要的参考意义.
- 王疆靖邵瑞文邓青松郑坤
- 关键词：SI纳米线塑性形变
