重庆市自然科学基金(cstcjjA40011)
- 作品数：3 被引量：29H指数：1
- 相关作者：周前能李国权庞宇黄华伟吴炜更多>>
- 相关机构：重庆邮电大学四川大学中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于形态滤波的心电信号去除基线漂移方法被引量：28
- 2014年
- 去除基线漂移是心电信号预处理过程中的重要一步,常见方法具有计算量大、结果不佳等缺陷.本文运用形态学理论,结合心电信号特征,提出了基于形态学的心电信号基线漂移去除方法.该方法采用不同形状及尺寸的结构元素设计了两级形态学滤波器,分别对信号进行开闭、闭开级联组合运算.经验证,提出的方法能很好保持心电信号的特征形态,提高了信噪比,减小了均方差,有效去除了基线漂移噪声.
- 庞宇邓璐林金朝李章勇周前能李国权黄华伟张懿吴炜
- 关键词：心电形态滤波
- 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源(英文)
- 2013年
- 设计了一种采用前调整器的高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源.基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,分别对有前调整器与没有前调整器的CMOS带隙基准电压源进行了设计与仿真验证.仿真结果显示,采用前调整器的带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz处分别获得了-117.3 dB、-106.2 dB、-66.2 dB的高电源抑制比,而没有采用前调整器的CMOS带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz处仅分别获得了-81.8、-80.1、-44.9 dB的电源抑制比;在-15～90℃范围内,采用前调整器的带隙基准的温度系数为6.39 ppm/℃;当电源电压在2.2～8 V变化时,采用调整器的带隙基准的输出电压变化仅9.73μV.
- 周前能段晓忠李红娟
- 关键词：带隙基准电源抑制比
- 基于标准工艺的抗单粒子数字单元设计方法被引量：1
- 2014年
- 基于0.18μm CMOS混合信号标准工艺,研究了一种抗单粒子数字单元的设计方法。采用的单粒子加固措施包括:在时序逻辑的电路结构中采用RC滤波结构;在版图结构中采用N+/P+保护环结构以及增加阱接触和衬底接触的通孔数目。以D触发器DFFX2为例,验证了其具有良好的单粒子加固性能。参照标准数字单元库设计流程,开发了一款抗单粒子数字单元库,并应用于高性能数据转换器项目中。
- 冯小刚李儒章刘佳周前能谭智琴徐辉刘明
- 关键词：单粒子效应辐照加固
