教育部科学技术研究重大项目(0205-[2002]78)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- 壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响
- 2005年
- 用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外 加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的 影响．实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高; 有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7．62 V升高到67．89 V,有壁 电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6．98 V到57．09 V;壁电荷增加会显著提高了放电 气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难．
- 郭滨刚刘纯亮范玉锋夏星
- 关键词：壁电荷击穿电压ACPDP
- 老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO薄膜二次电子发射系数的影响
- 2005年
- 在Paschen定律基础上,使用计算出的表面放电型ACPDP的击穿电压数据,拟合实验测得的ACPDP显示屏内Ne+Xe混合气体的击穿电压特性曲线(Ub^pd),从而确定了击穿电压(Ub)和MgO介质保护膜有效二次电子发射系数(γeff)之间函数关系式中的相关参数,并由此关系研究了老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO介质保护膜γeff的影响。结果表明,老炼开始时,击穿电压随着老炼时间的延长迅速降低,2 h后击穿电压逐渐趋于稳定。与此对应,MgO介质保护膜的γeff会随着老炼时间的延长迅速增大并在2 h后趋于稳定。当Xe的含量从0.5%升高到4%时,击穿电压会随着Xe的含量升高而升高,而γeff会随着Xe的含量升高而降低。本文使用的计算γeff的方法可以用于计算ACPDP屏内介质保护膜的γeff。
- 郭滨刚胡文波郑德修何锋刘纯亮
- 关键词：老炼MGO击穿电压
- 壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响
- 用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACP...
- 郭滨刚刘纯亮范玉锋夏星
- 关键词：壁电荷击穿电压ACPDP
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