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耦合锗量子点中空穴态对称特性研究: 2014年; 分别采用单带重空穴近似和六带Kronig-Penney模型,对垂直耦合锗量子点在不同耦合距离下的空穴态特性进行了计算,并探讨了自旋-轨道的相互作用对空穴态对称性的影响.计算结果表明:多带耦合的框架下,随着量子点垂直间距的增大,空穴基态从成键态转变为反键态,而且价带基态能级和第一激发态能级发生反交叉现象,这与单带模型下得到的相应结果存在较大差异.通过分析六带模型计算得到的成、反键态波函数,轻、重空穴态和自旋-轨道分裂态对特征空穴态波函数的贡献比例随着量子点垂直间距的增大发生了转变,并最终导致量子点空穴基态波函数由成键态转变为反键态.; 崔尉王茺崔灿施张胜杨宇; 关键词：耦合量子点自旋-轨道

Au诱导形成有序Si纳米孔阵列及其应用被引量：1: 2014年; 以自组装聚苯乙烯小球(PS)单层膜为掩膜,利用Au对Si表面的催化氧化作用以及KOH溶液对单晶Si的各向异性腐蚀特性,在Si(100)面上制备了一系列尺寸小于100 nm有序可控的Si纳米孔阵列.扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等的测试结果显示:当PS小球溶液与甲醇溶液的体积比为9:11时,可形成大面积无缺陷的单层膜;但当体积比过大时,会导致类似双层膜结构的形成;而当体积比过小时,会诱导形成点缺陷和线缺陷.对PS小球及溅射Au处理过的Si晶片进行KOH溶液腐蚀,随着腐蚀时间变长,纳米孔的横向尺寸和深度增大,其形貌由圆形逐渐变为倒金字塔型,当腐蚀时间超过10 min,纳米孔阵列的有序性遭到破坏.采用离子束溅射技术在倒金字塔型纳米孔衬底上获得了有序Ge/Si纳米岛,而在圆形纳米孔衬底上获得了有序Ge/Si纳米环.进一步对有序Ge/Si纳米岛及纳米环的形成机理进行了解释.; 王海澎柯少颖杨杰王茺杨宇

渐变带隙氢化非晶硅锗薄膜太阳能电池的优化设计被引量：5: 2014年; 利用一维微电子-光电子结构分析软件(AMPS-1D)在AM1.5G(100 mW/cm2)、室温条件下模拟和比较了有、无渐变带隙氢化非晶硅锗(a-SiGe:H)薄膜太阳能电池的各项性能.计算结果表明:渐变带隙结构电池具有较高的开路电压(V oc)和较好的填充因子(FF),转换效率(E ff)比非渐变带隙电池提高了0.477%.研究了氢化非晶硅(a-Si:H)、氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)和氢化纳米晶硅(nc-Si:H)三种不同材料的窗口层对a-SiGe:H薄膜太阳能电池性能的影响.结果显示:在以nc-Si:H为窗口层的电池能带中,费米能级E F已经进入价带,使得窗口层电导率及电池开路电压有所提高,又由于ITO与p-nc-Si:H的接触势垒较低,使得接触处的电场降低,更有利于载流子的收集.另一方面,窗口层与a-SiGe:H薄膜之间存在较大的带隙差,在p/i界面由于能带补偿作用形成了价带势垒(带阶)?E v,阻碍了空穴的迁移,因此我们在p/i界面引入缓冲层,使得能带补偿作用得到释放,更有利于空穴的迁移和收集,得到优化后单结渐变带隙a-SiGe:H薄膜结构太阳能电池的转换效率达到了9.104%.; 柯少颖王茺潘涛何鹏杨杰杨宇; 关键词：太阳能电池

红外探测器集成OLED的光上转换器研究进展: 2015年; 红外探测器集成OLED的光上转换器不仅可以结合红外探测器(PD)和有机发光二极管(OLED)的优势,提高转换效率,降低生产成本,而且可以实现红外光信号到可见光影像的转换,有广阔的应用前景。阐述了PDOLED光上转换器的基本原理,综述了光上转换器的研究现状,分析了影响转换效率的主要因素,并对其中的一个重要因素——中间界面的常用结构和作用机理的最新研究成果进行了重要归纳,随后介绍了该类杂化器件在探测成像方面的应用进展,最后提出了PD-OLED光上转换器的发展方向并对其应用前景进行了展望。; 李辉松邱锋王茺杨宇; 关键词：红外探测器 OLED

斜切衬底自组装模板形成机制及生长有序量子点的研究进展: 2015年; 在斜切基片表面上引入原子台阶并对物理表面进行改性,可提高表面吸附原子的成核率及抑制量子点的合并,实现三维量子点在Stranski-Krastanov(S-K)模式生长的调控生长。概述了斜切基片法在Si衬底上生长有序量子点的研究进展;介绍了斜切基片作为图形衬底生长有序量子点的应用。叙述了斜切基片产生台面、台阶和扭结的图形衬底结构机制及影响因素,探讨了台阶模板形成机制及台阶模板上生长量子点的研究进展。; 张璋王荣飞杨杰王茺杨宇

动力学Monte Carlo方法对量子点生长微观机理模拟的研究进展: 2015年; 为深入理解生长因素及应变对量子点形成的影响,科研工作者采用动力学蒙特卡罗方法对量子点的生长进行了大量研究。简要概括了采用动力学蒙特卡罗法(kinetic monte carlo,KMC)模拟量子点生长的研究进展。主要从模型结构和原子间相互作用势的差异来介绍量子点二维层状生长向三维岛状生长过渡、成核位置、量子点尺寸分布以及量子点形貌转变等内容。此外还简单介绍了图形衬底上有序量子点生长的模拟研究进展,为量子点生长及应用奠定了坚实的基础。; 周艳华杨杰王茺杨宇; 关键词：量子点相互作用势自组织生长

高速率沉积磁控溅射技术制备Ge点的退火生长研究: 2014年; 采用磁控溅射技术在Si衬底上以350?C沉积14 nm的非晶Ge薄膜,通过退火改变系统生长热能,实现了低维Ge/Si点的生长.利用原子力显微镜(AFM)和拉曼(Raman)光谱所获得的形貌和声子振动信息,对Ge点的形成机理和演变规律进行了研究.实验结果表明:在675?C退火30 min后,非晶Ge薄膜转变为密度高达8.5×109cm-2的Ge点.通过Ostwald熟化理论、表面扩散模型和对激活能的计算,很好地解释了退火过程中,Ge原子在Si表面迁移、最终形成纳米点的行为.研究结果表明用高速沉积磁控溅射配合热退火制备Ge/Si纳米点的方法,可为自组织量子点生长实验提供一定的理论支撑.; 张鑫鑫靳映霞叶晓松王茺杨宇; 关键词：磁控溅射激活能

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南省应用基础研究计划重点项目(2013FA029)