您的位置: 专家智库 > >

新疆维吾尔自治区高校科研计划(XJEDU2010S46)

作品数:4 被引量:8H指数:2
相关作者:张保花郭福强王俊珺陈惠敏王伟更多>>
相关机构:昌吉学院更多>>
发文基金:新疆维吾尔自治区高校科研计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术化学工程理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇再结晶
  • 2篇溶剂
  • 2篇溶剂热
  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇陶瓷
  • 1篇添加剂
  • 1篇热压
  • 1篇热压烧结
  • 1篇自组装
  • 1篇微观结构
  • 1篇无铅
  • 1篇无铅压电
  • 1篇无铅压电陶瓷
  • 1篇硫脲
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米棒
  • 1篇纳米晶
  • 1篇NA
  • 1篇NBO

机构

  • 4篇昌吉学院

作者

  • 4篇郭福强
  • 4篇张保花
  • 3篇王俊珺
  • 1篇李艳青
  • 1篇杨莲红
  • 1篇王伟
  • 1篇智丽丽
  • 1篇孙毅
  • 1篇陈惠敏

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇科技信息

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
溶剂热再结晶合成由纳米颗粒自组装成的一维CdS纳米棒被引量:2
2012年
采用两种不同的溶剂热路径合成出了不同形貌和尺寸的CdS纳米晶,一种是以无水乙二胺(en)为溶剂,CdCl_2·2.5H_2O和硫脲(H_2NCSH_2N)为镉源和硫源,在不同反应温度(160℃—220℃下制备出了CdS纳米晶,讨论温度对CdS纳米晶生长的影响;另一种是以en为溶剂,将在160℃下合成的产物在200℃下原位再结晶生长2—8 h,分析原位生长时间对CdS纳米晶生长的影响.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子电镜(SEM)和透射电子电镜(TEM)等表征产物的物相、形貌和微结构,分析可知:两种路线合成的产物均为六方相CdS;当温度为160℃时,产物形貌为纳米颗粒状,当温度高于160℃时,产物为CdS纳米棒状;同时,在200℃下原位再结晶生长不同时间后发现产物形貌由纳米颗粒转变为纳米棒,通过场发射扫描电镜(HRTEM)分析可知:纳米棒是由零维纳米颗粒自组装而成.最后,讨论了影响产物CdS纳米晶形貌转变的因素和纳米棒的生长机理.
张保花郭福强孙毅王俊珺李艳青智丽丽
关键词:CDS纳米晶溶剂热再结晶自组装
硫脲辅助溶剂热再结晶对CdS纳米颗粒形貌转变的影响
2014年
采用传统的溶剂热技术,以无水乙二胺(en)为溶剂,CdCl2·2.5H2O和硫脲(H2NCSH2N)为镉源和硫源,在相同的反应时间下,经过不同的反应温度合成了CdS纳米晶.利用X射线衍射(XRD)图谱和扫面电子显微(SEM)图像对CdS纳米晶产物进行表征,结果显示产物均为六方相的结构,当温度低于160℃时,产物为纳米颗粒状;当温度高于160℃时,产物为CdS纳米棒状.同时,着重研究了添加剂(硫脲)的添加量对CdS纳米颗粒再结晶产物形貌转变的影响,并分析了产物形貌转变的可能机制.
郭福强张保花杨莲红王俊珺
关键词:CDS溶剂热
CdS纳米薄膜的合成方法及应用研究被引量:1
2012年
通过大量的调研,归纳、总结了合成CdS纳米薄膜的各种方法,如:化学水浴沉积法、溶胶凝胶法、LB膜法、连续离子层吸附反应(SILAR)法,简述其制备特点及研究现状,为今后合成CdS纳米薄膜提供一定的理论指导,并介绍了CdS薄膜在太阳能电池方面的应用。
郭福强张保花王俊珺
不同烧结工艺对K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3陶瓷微结构的影响被引量:5
2012年
采用普通烧结方法和热压烧结方法制备了K0.5Na0.5NbO3(KNN)无铅压电陶瓷.着重研究了两种烧结工艺对陶瓷的微观结构、晶粒形貌及致密度的影响.研究结果表明,两种烧结方法制备的陶瓷样品都具有单一的正交钙钛矿结构,与普通烧结工艺相比,利用热压烧结工艺制备的样品呈现较高的相对密度(大于98%)、较小的晶粒尺寸(0.6μm左右)及较低的介电损耗(1 kHz,tanδ≤2.8%).实验中发现对于热压烧结的样品,通过改变后期退火温度,样品的晶粒尺寸,致密度可以有规律地变化.
郭福强张保花王伟陈惠敏
关键词:热压烧结微观结构无铅压电陶瓷
共1页<1>
聚类工具0