国家自然科学基金(69976003)
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
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- 由W_(0.95)Ni_(0.05)金属薄膜形成光弹波导结构的热稳定性
- 2001年
- InGaAsP/InP双异质结构外延片在直流负偏压 12 0V作用下 ,利用射频溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为 110nm的W0 .95Ni0 .0 5金属薄膜应变条 ,并在该应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构。W0 .95Ni0 .0 5金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体的保护下 ,分别在 2 50℃、350℃、4 50℃和 60 0℃温度下各退火 30min以后 ,W0 .95Ni0 .0 5金属薄膜中压应变减少了十分之一。光弹波导器件输出椭圆形近场光模长、短轴之比由原来的 2 .0增加到 2 .2 (对 2 μm条宽 )和 2 .5增加到 2 .9(对 4 μm条宽 )。实验结果证明 ,这种波导结构具有很高的热稳定性。
- 邢启江徐万劲
- 关键词：光弹效应热稳定性金属薄膜波导结构
- 在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用
- 2001年
- 从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引起条形波导轴中央的介电常数 ε相应增加 2 .3× 10 - 1— 2 .2× 10 - 2 (2 μm应变条宽 )和 1.2× 10 - 1— 4.1× 10 - 2(4μm应变条宽 ) .同时 ,测量了由 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条所形成的 In Ga As P/ In P双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布 .从理论计算和实验结果两方面证实了 In Ga As P/ In
- 邢启江徐万劲武作兵
- 关键词：光弹效应半导体材料
- 高温退火对InGaAsP/InP双异质结光弹波导结构的影响
- 2000年
- 光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下,利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条。在W0.95－Ni0.05金属薄膜应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构。W0.95Ni0.05金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体（85％N2,15％H2）的保护下，分别在250℃，350℃，450℃，600℃温度下各退火0.5h以后，W0.95Ni0.05金属薄膜中压应变减少了原来的1/10左右。退火前后光弹波导输出的近场光模没有发生很大的变化。这些实验结果充分证明了由W0.95Ni0.05金属薄膜在InGaAsP/InP双异质结构内形成的光弹波导结构具有很高的热稳定性。
- 邢启江
- 关键词：INGAASP/INP高温退火
- GaN材料键合技术研究进展被引量：1
- 2003年
- GaN材料及其有关光电子器件的研制是近年来光电子研究领域内的研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术也可以研制出一些新型的光电子器件,这些器件用其他生长技术是不可能实现的。概括地介绍了近年来键合技术在GaN光电子器件及其集成领域内的研究进展和应用情况。
- 袁志军高文胜唐昕龙邢启江
- 关键词：GAN光电子集成
- 光弹效应在光电子器件中的应用被引量：1
- 2002年
- 在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样压应变力作用下,W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下InGaAsP/InP 双异质结结构内0.2～2μm深度范围内形成的条形波导的导波强度为1.5×10-3至1.7 ×10-1.与由W和SiO2应变薄膜所形成的光弹波导及其光弹光电子器件相比较,由W 0.95Ni0.05金属薄膜应变条形成的光弹效应波导结构在平面型光电子器件中有着更重要的实际应用.
- 邢启江徐万劲高文胜袁志军孙锴王爱民
