您的位置： 专家智库 > >

福建省工业科技重点项目(2006H0036)

作品数：1 被引量：7H指数：1
相关作者：赖虹凯周志玉周志文余金中陈松岩更多>>
相关机构：厦门大学更多>>
发文基金：福建省工业科技重点项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇SI(100...
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇缓冲层
  • 1篇GE量子点
  • 1篇S-

机构

  • 3篇厦门大学

作者

  • 3篇李成
  • 3篇陈松岩
  • 3篇余金中
  • 3篇周志文
  • 3篇赖虹凯
  • 2篇周志玉
  • 1篇林桂江
  • 1篇周笔
  • 1篇张永
  • 1篇蔡志猛
  • 1篇王钰

传媒

  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
Ge/Si（100）量子点生长与形态分布的研究
＜正＞在 S—K模式下自组装生长的 Ge 量子点具有随机分布的特点,很难达到器件的应用要求,制备有序性的 Ge 量子点成为提高器件性能的关键。本文利用超高真空化学气相淀积（UHV—CVD）系统, 通过控制淀积量、温度、流...
周志玉王钰周志文李成陈松岩余金中赖虹凯
文献传递
低温Ge作缓冲层的高组份SiGe弛豫衬底生长研究
＜正＞Si 基 SiGe 合金和纯 Ge 材料具有良好的光电热性能,并且与 Si 工艺兼容,在微电子和光电子器件方面得到了广泛应用,如异质结双结型晶体管,应变 Si、SiGe 和 Ge 高迁移率 MOS 管,近红外1.3...
周志文蔡志猛张永周笔林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中
文献传递
Ge／Si(100)量子点生长与形态分布的研究被引量：7
2008年
利用超高真空化学气相淀积系统，通过控制淀积量、温度、流量等生长参数，在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品，用原子力显微镜进行了表征与分析。系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛的生长机理。结果表明，从二维向三维岛跃迁后，最初形成的高宽比（高度与底宽的比值）在0．04～0.06之间的小岛是一种在低温下可以与圆顶岛共存的稳定岛，两种岛的分布随淀积参数的变化而变化。在高温下小岛几乎消失，流量的变化对小岛的密度影响较小。实验中获得小岛的密度最高为2．6×10^10cm^-2，圆顶岛的密度最高为4．2×10^9cm^-2。
周志玉周志文李成陈松岩余金中赖虹凯
关键词：GE量子点
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0