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国家高技术研究发展计划(2003AA33X150)

作品数:3 被引量:9H指数:1
相关作者:冯涤付锐陈希春秦英更多>>
相关机构:钢铁研究总院安泰科技股份有限公司更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇引线
  • 2篇引线框
  • 2篇引线框架
  • 1篇电路
  • 1篇形核
  • 1篇引线框架材料
  • 1篇脱氧
  • 1篇金属
  • 1篇金属夹杂物
  • 1篇集成电路
  • 1篇夹杂
  • 1篇合金
  • 1篇合金带材
  • 1篇非金属夹杂
  • 1篇非金属夹杂物
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇冲裁

机构

  • 3篇钢铁研究总院
  • 1篇安泰科技股份...

作者

  • 3篇陈希春
  • 3篇付锐
  • 3篇冯涤
  • 1篇秦英

传媒

  • 1篇钢铁研究学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇金属功能材料

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
钛对硅-锰脱氧FeNi42合金中夹杂物的影响被引量:1
2008年
通过热力学计算及试验分析,系统研究了不同含量的Ti对Si-Mn脱氧FeNi42合金中夹杂物数量、组成、形貌和尺寸分布的影响,利用扫描电镜和图像分析仪对试样中的夹杂物进行了检测。结果表明,当合金中钛含量较低时,夹杂物的中心部分是析出温度较高的Al-Ti-Mn复合氧化物,向外依次是锰硅酸盐和少量的MnS。随着钛含量的增加,夹杂物中钛含量逐渐增多,而Mn、Si等元素的含量逐渐减小。Ti的加入使合金中夹杂物的数量增多,尺寸减小,且呈均匀弥散分布。
付锐秦英陈希春冯涤
关键词:非金属夹杂物形核
FeNi42引线框架材料的研究进展被引量:7
2007年
FeNi42合金常被用于制作高可靠性陶瓷封装集成电路的引线框架。随着集成电路向高集成度、多功能化和小型化方向发展,其引线数增多、引线间距减小,因此对引线框架材料的强度和冲裁加工性能提出了更高的要求。主要概述了在提高引线框架用FeNi42合金薄带强度和冲裁加工性能方面的研究进展,指出合金中非金属夹杂物的数量、尺寸和分布对带材性能有重要的影响,同时分析了国产该材料存在的主要问题。
付锐冯涤陈希春朱筱北
关键词:引线框架材料集成电路
引线框架用FeNi42合金带材冲裁性能的影响因素分析被引量:1
2008年
对冲裁性能有明显差异的两批次引线框架用FeNi42合金带材在化学成分、金相组织、力学性能以及合金中夹杂物的类型和分布等方面做了系统的对比分析,结果表明,两批次带材的差别主要表现在以下三个方面:第一,冲裁性能较差的带材中Al,Mg,Ti和O等杂质元素含量较高,导致材料中含有较多的大尺寸不规则形状脆性夹杂物;第二,冲裁性能良好的带材延伸率较小;第三,冲裁性能较差的带材晶粒大且不均匀。另外,作者对影响薄带冲裁精度的因素做了初步的理论分析,指出材料的塑性以及材料中夹杂物的数量、尺寸、类型、形态和分布是影响带材冲裁性能的重要因素。
付锐陈希春冯涤
关键词:引线框架
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