国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ04013608)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：赵珉牛洁斌陈宝钦刘桂英朱齐媛更多>>
- 相关机构：湛江师范学院中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重大科学仪器设备开发专项国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 新型抗蚀剂的电子束曝光性能研究
- 2013年
- 为了满足越来越多的特殊结构纳米电子器件的制作要求,亟需进一步提高电子束光刻的分辨率与质量,选择适合的高分辨率电子束抗蚀剂材料显得尤为重要。从曝光剂量以及显影与烘烤过程中具体工艺条件的影响等方面对三种新型抗蚀剂材料HSQ,Calixarene和ARN7520进行了电子束曝光性能的研究,同时也对三者的优缺点进行了讨论。通过实验可知,三种新型抗蚀剂均有小于50 nm的高曝光分辨率。HSQ与衬底有更好的附着力,具有较高的机械强度和对比度,在小面积密集图形的制作中具有较好的性能。而ARN7520具有较高的灵敏度,受电子束邻近效应的影响较小,更适合复杂版图的制作。Calixarene虽然也具有较高的曝光分辨率,但过低的灵敏度严重限制了其实用性。
- 赵珉朱齐媛陈宝钦牛洁斌
- 关键词：电子束光刻抗蚀剂高分辨率灵敏度对比度
- 电子束零宽度线曝光及其应用被引量：1
- 2013年
- 为了提高电子束光刻的图形质量及光刻分辨率,从入射束能和束流密度等方面探讨了克服邻近效应影响的途径,在制备亚30 nm结构图形时采用零宽度线曝光的方法。该方法把版图上线条的宽度设为零,因此该线条的光刻尺寸取决于电子束束斑大小、曝光剂量与显影条件。在400 nm厚HSQ抗蚀剂层上通过零宽度线曝光技术制作出了线宽20 nm网状结构的抗蚀剂图形,实验证明采用零宽度线曝光技术可以比较容易地制作出密集线以及高深宽比的抗蚀剂图形。将该技术应用到扫描电镜放大倍率校准标准样品的制备,取得了较好的效果。零宽度线曝光技术是实现电子束直写曝光极限分辨率的有效方法。
- 赵珉刘桂英陈宝钦牛洁斌
