您的位置： 专家智库 > >

国家自然科学基金(11004148)

作品数：1 被引量：8H指数：1
相关作者：邢琼勇冯列峰王存达张国义李丁更多>>
相关机构：海南工商职业学院北京大学天津大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇氧空位
  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电导
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化铟
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇空位
  • 1篇蓝光
  • 1篇共掺
  • 1篇共掺杂
  • 1篇合金

机构

  • 3篇天津大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇海南工商职业...

作者

  • 1篇李杨
  • 1篇吴萍
  • 1篇李丁
  • 1篇刘卫芳
  • 1篇张国义
  • 1篇王存达
  • 1篇冯列峰
  • 1篇周伟
  • 1篇邢琼勇

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
不同退火温度下Sn1-xMgxO2薄膜的相结构和性能研究
本文对磁控溅射法制备的外延SnMgO薄膜的光学性质和室温铁磁性进行了研究。分析结果表明薄膜样品的可见光透射率均高于80%,随着Mg的掺入样品的磁性和光学带隙显现出明显的变化,替代位的Mg以及间隙位的Mg是两个主要的影响因...
周宝增周伟吴萍刘卫芳邢鹏飞
关键词：铁磁性磁控溅射
文献传递
In2O3薄膜的制备、结构、光、电及d0铁磁性研究
本工作对射频磁控溅射法制备的纯氧化铟薄膜的结构、光、电、磁特性进行了研究。结果表明纯的氧化铟薄膜中存在室温d铁磁性且可以通过真空退火得到有效的增强。另外,在不同的氧氩流量比下制备的纯氧化铟薄膜,其光学带隙及磁性随着氧氩流...
孙少华邢鹏飞刘卫芳周伟吴萍
关键词：氧化铟氧空位射频磁控溅射
文献传递
半导体GaN基蓝光发光二极管的精确电学特性被引量：8
2013年
对传统的电容-电压(C-V)、电流-电压(I-V)测量方法和我们自建的表征方法测量得到的蓝光发光二极管(LED)正向特性的结果做了详细的对比分析,发现传统测量方法得到的电学参量是不够精确的。但是传统C-V方法得到的表观电容以及我们自建方法得到的结电容在大电压和低频率下都表现出了明显的负值,该实验结果与经典肖克莱理论相冲突。此外,我们精确地得到了负的结电容以及结电导随电压和频率变化的经验表达式。这将为半导体二极管的正向电学特性的理论研究提供实验基础。
李杨冯列峰李丁王存达邢琼勇张国义
关键词：发光二极管(LED)负电容电导P-N结
La和Ru共掺杂BiFeO3材料的特性研究
本工作利用固相反应法制备了不同烧结温度下的多铁BiLaFe以及在此基础上掺Ru的陶瓷样品。根据XRD结果,确定了制备单相材料的最佳烧结温度为880℃;另外,Ru掺杂的陶瓷样品发生了从菱形到伪立方结构的改变。我们从结构相变...
巩玉菲吴萍刘卫芳周伟邢鹏飞
关键词：氧空位
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0