国家自然科学基金(60871049)
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
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- 溅射气压对Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜结构及介电性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大。薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大。且随着溅射气压的升高,薄膜中各元素含量逐渐接近理论值。在基片温度为675℃,溅射气压为5 Pa,体积比??(O2:Ar)为15:85的条件下制备得到的BMN薄膜在1.6×106 V/cm外加电场下的介电调谐率为26%,介质损耗约0.8%;在5.0×105 V/cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10–8 A/cm2。
- 黎彬赵华杨天应蒋书文
- 关键词：射频磁控溅射介质损耗
- Al_2O_3陶瓷基片上Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜可调介电性能的研究
- 2011年
- 采用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷基片上溅射生长Ba0.7Sr0.3TiO3（BST）薄膜，使用光刻工艺制作平板结构的BST薄膜可变电容。研究了溅射条件对BST薄膜可调介电性能和介电损耗的影响。结果表明，在溅射气压为4Pa、O2：Ar比为30：70、基片温度800℃下制备的BST薄膜具有较高的介电调谐率（约52％）和较低的损耗（约0．8％），BST薄膜可变电容的品质因素随频率升高而降低，在1～100MHZ频率范围内品质因素从125下降为42。
- 王元蒋书文陈湘亮
- 关键词：BST薄膜AL2O3陶瓷基片可变电容
- 基于BST可变电容的电调微带天线研究被引量：1
- 2012年
- 采用BaxSr1–xTiO3(BST)可变电容作为调谐元件研制了一种工作频率可调的电调谐微带天线。该天线通过利用单片机控制电源单元输出不同的偏置电压来改变BST可变电容的电容大小,进而实现工作频点的调整。结果表明,当电源输出偏压在0-52 V变化时,该微带天线的工作频点可在1.47-1.61 GHz调节,回波损耗低于–15 dB。
- 张光强肖勇许程源陈湘亮蒋书文
- 关键词：微带天线单片机
- 基于钛酸锶钡变容管的可调匹配网络被引量：2
- 2010年
- 采用钛酸锶钡(BST)薄膜变容管作为可调电容元件,在LaAlO3基片上采用微细加工技术制备了共面波导结构的C-L-Cπ型可调匹配网络。仿真及测试结果表明,通过在BST薄膜变容管上施加直流偏置电压对BST变容管的电容进行调节,可以在740～770 MHz频率范围内,实现该匹配网络与终端负载之间良好的阻抗匹配。其中,在760 MHz时测得的匹配网络的反射系数S11达到–45.8 dB。
- 陈湘亮蒋书文姜斌王元
