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中国科学院知识创新工程重要方向项目(072C201301)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：常爱民武德起赵红生姚金城李锋更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院研究生院更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电学性能
  • 1篇栅介质
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇介电
  • 1篇ZRO
  • 1篇ZRO2薄膜

机构

  • 1篇河北大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院新...

作者

  • 1篇周阳
  • 1篇李锋
  • 1篇姚金城
  • 1篇赵红生
  • 1篇武德起
  • 1篇常爱民

传媒

  • 1篇河北大学学报...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高介电栅介质ZrO_2薄膜的物理电学性能被引量：2
2009年
采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.
武德起姚金城赵红生常爱民李锋周阳
关键词：ZRO2薄膜漏电流
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