国家重点基础研究发展计划(2002CB3119)
- 作品数：12 被引量：59H指数：3
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- 辐射感生应力弛豫对Al_mGa_(1-m)N/GaN HEMT电学特性的影响被引量：3
- 2007年
- 基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不但导致2DEG下降和阈值电压正向漂移,而且能够引起漏极输出电流的明显下降.辐射感生应力弛豫是赝配AlmGa1-mN/GaN HEMTs辐射损伤的重要机理之一.
- 范隆郝跃
- 关键词：HEMT应力弛豫
- 用原子力显微镜和扫描电镜研究GaN外延层中的位错腐蚀坑(英文)被引量：1
- 2007年
- 用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用.
- 高志远郝跃张进城张金凤陈海峰倪金玉
- 关键词：位错GAN
- ICP刻蚀损伤对n-Ga N-Ni/Au肖特基接触特性的影响
- 2007年
- 通过电流-电压法(I-V),电容-电压法(C-V)对n-GaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析。利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对刻蚀样品的表面形貌,以及退火前后肖特基接触金属的表面形貌变化进行了研究。试验表明,ICP刻蚀会在GaN表面引入损伤,形成电子陷阱能级从而引起肖特基二极管的势垒高度降低,理想因子增大,反向泄漏电流增大。刻蚀样品在400℃热退火可以恢复二极管的电特性,退火温度到600℃时二极管特性要好于未刻蚀的样品。
- 刘杰王冲冯倩张进诚郝跃杨艳龚欣
- 关键词：感应耦合等离子体肖特基接触刻蚀损伤
- AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究被引量：7
- 2006年
- 采用O2等离子体及HF溶液对AlGaN/GaN异质结材料进行表面处理后,Ni/Au肖特基接触特性比未处理有了明显改善,反向泄漏电流减小3个数量级.对制备的肖特基接触进行200—600℃5min的N2气氛退火,发现退火冷却后肖特基反向泄漏电流随退火温度增大进一步减小.N2气中600℃退火后肖特基二极管C-V特性曲线在不同频率下一致性变好,这表明退火中Ni向材料表面扩散减小了表面陷阱密度;C-V特性曲线随退火温度增大向右移动,从二维电子气耗尽电压绝对值减小反映了肖特基势垒的提高.
- 王冲冯倩郝跃万辉
- 关键词：ALGAN/GAN肖特基接触表面处理退火
- 钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响
- 2007年
- 由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN/GaNHEMT的电流崩塌程度.实验结果表明,钝化隔断了电子从柵隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低柵边缘电场,均减少了电子从柵隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚柵的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应.
- 马香柏张进城郭亮良冯倩郝跃
- 关键词：电流崩塌钝化场板结构
- 异质外延GaN中穿透位错对材料发光效率的影响被引量：1
- 2008年
- 用阴极射线致发光(CL)法、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系.结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,但GaN的CL带边峰强度并不随位错密度的增加而减少.两步法生长GaN形成的马赛克结构的亚晶粒尺寸和晶粒间合并产生的位错的弯曲程度是影响材料发光效率的关键.
- 高志远郝跃李培咸张进城
- 关键词：GAN发光效率
- AlGaN/GaN HEMT高场应力退化及紫外光辐照的研究
- 2006年
- 采用不同的应力偏压发现器件特性的下降程度随应力偏置电压的增大而增大.经过3×104s40V高场应力后,蓝宝石衬底AlGaN/GaNHEMT饱和漏电流下降5·2%,跨导下降7·6%.从器件直流参数的下降分析了应力后的特性退化现象并与连续直流扫描电流崩塌现象进行了对比,同时观察了紫外光照对应力后器件特性退化的恢复作用.直流扫描电流崩塌现象在紫外光照下迅速消除,但是紫外光照不能恢复高场应力造成的特性退化.
- 王冲张进城郝跃杨燕
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管热电子电子陷阱
- 变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性被引量：2
- 2006年
- 通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量，研究了蓝宝石衬底AIGaN／GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25-200℃之间的变化，分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律，得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成，沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论，同时，证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因。
- 王冲张金风杨燕郝跃冯倩张进城
- 关键词：高电子迁移率晶体管二维电子气传输线模型泄漏电流
- 4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进
- 2006年
- 采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底A lGaN/GaNHEMTs的直流特性和高频特性。与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时由38.5μA减小到1.2μA,截止频率由3.2 GHz提高到6.7 GHz。分析了器件泄漏电流减小和频率特性提高的原因。
- 王冲张进城郝跃杨燕
- 关键词：高电子迁移率晶体管泄漏电流
- 微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展
- 2006年
- 文章论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率AlGaN/GaNHEMT的工艺进展以及器件的直流和频率特性,评述了其最新进展及今后发展方向。
- 马香柏郝跃张进城
- 关键词：ALGAN/GAN微波功率
