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国家自然科学基金(10305018)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：张正选王曦张恩霞张国强郑中山更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇离子注入
  • 3篇抗辐照
  • 3篇SOI材料
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米晶
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘体
  • 2篇硅工艺
  • 1篇SIMON
  • 1篇SOI
  • 1篇氮

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇张恩霞
  • 3篇王曦
  • 3篇张正选
  • 2篇武爱民
  • 2篇杨慧
  • 2篇陈静
  • 1篇刘忠立
  • 1篇李宁
  • 1篇钱聪
  • 1篇郑中山
  • 1篇张国强

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇第六届中国功...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
注硅工艺对UMBOND SOI材料抗辐照性能的影响
SOI 材料天然具有抗瞬时辐射的能力,而通过特定的改性处理后,SOI 的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI 材料主流的制备方法包括 SIMOX (注氧隔离方法)和 UNIBOND SOI(智能剥离方法制备)。在 ...
武爱民陈静张恩霞杨慧张正选王曦
关键词：离子注入纳米晶
文献传递
注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响
2007年
SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力，而通过特定的改性处理后，SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX（注氧隔离方法）和UNIBOND SOI（智能剥离方法制备）。在SIMOX SOI的抗辐射加固领域，采用氮离子注入、氮氧共注入以及硅离子注入的方法都曾取得过很有效的结果。采用硅离子注入的方法对UNIBOND SOI进行了抗总剂量加固。采用P-MOS的表征方法对加固前后的样品进行了比较和分析，在HP-4155B半导体测试仪上得到的I-V曲线和提取的参数表明，注入的离子有效地减少了埋层中积累的正电荷得，圆片抗总剂量能力得到了大幅度提高。初步的理论分析表明是注入的硅离子形成的纳米团簇起到了俘获正电荷的作用。
武爱民陈静张恩霞杨慧张正选王曦
关键词：离子注入纳米晶
注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响被引量：1
2005年
分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管,并测试了晶体管辐射前后的转移特性.实验结果表明,注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响.
张恩霞钱聪张正选王曦张国强李宁郑中山刘忠立
关键词：SIMONSOI离子注入
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