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国家自然科学基金(51065007)

作品数:3 被引量:2H指数:1
相关作者:熊良才李雪梅邹登峰龙芋宏龙宇宏更多>>
相关机构:桂林电子科技大学华中科技大学桂林医学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电化学
  • 1篇电化学刻蚀
  • 1篇影响因素
  • 1篇数值仿真
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激光
  • 1篇激光冲击
  • 1篇激光冲击处理
  • 1篇激光技术
  • 1篇光技术
  • 1篇仿真
  • 1篇NM
  • 1篇SI
  • 1篇不锈
  • 1篇不锈钢
  • 1篇残余应力

机构

  • 2篇桂林电子科技...
  • 2篇桂林医学院
  • 2篇华中科技大学

作者

  • 2篇龙芋宏
  • 2篇邹登峰
  • 2篇李雪梅
  • 2篇熊良才

传媒

  • 2篇应用激光

年份

  • 2篇2011
3 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
微尺度激光冲击强化的影响因素分析被引量:1
2011年
微尺度激光冲击处理技术通过将常规激光冲击处理的激光光斑从毫米量级缩小到微米量级,为提高金属微结构的可靠性提供了一种可能途径。为了分析微尺度激光冲击处理的特点,探究激光脉冲功率密度、冲击次数等因素对冲击效果的影响,利用ABAQUS仿真软件对激光冲击强化铝合金6061-T6的过程进行了仿真研究,分析了激光冲击处理的基本原理,着重讨论了激光冲击处理过程中几种参数对残余应力场的影响,分析了微尺度激光冲击处理后金属表层残余应力分布的基本特点。结果表明,单次微尺度激光冲击处理后,材料表面存在局部的拉应力,但可以通过多次冲击予以消除。
龙芋宏李雪梅邹登峰熊良才
关键词:激光技术激光冲击处理残余应力数值仿真影响因素
248 nm与808 nm激光电化学刻蚀不同材料的实验研究被引量:1
2011年
为探讨不同激光电化学刻蚀的工艺特性,采用两种激光(KrF:248 nm,20 ns和半导体激光:808 nm连续)作为光源,聚焦激光照射浸于溶液中的阳极上,实现激光诱导电化学刻蚀材料。在实验的基础上,通过对金属和半导体材料刻蚀的比较,分析了不同激光电化学刻蚀不同材料的工艺特点。讨论两种激光对半导体与金属的不同刻蚀机制,并比较了这两种激光对不同材料的刻蚀性能。实验表明,248 nm激光电化学刻蚀工艺中直刻占主要部分,该工艺刻蚀硅比刻蚀金属有更好的刻蚀速率;808 nm激光诱导电化学刻蚀工艺是一个光热刻蚀过程,该工艺不适合刻蚀半导体材料。
李雪梅龙芋宏邹登峰熊良才
关键词:刻蚀电化学SI不锈钢
共1页<1>
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