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重庆市科技攻关计划(CSTC2005AA4006-A6)

作品数：6 被引量：27H指数：4
相关作者：李丽方亮陈希明刘高斌常仁杰更多>>
相关机构：重庆大学重庆邮电大学郑州铁路职业技术学院更多>>
发文基金：重庆市科技攻关计划重庆市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇透明导电
  • 3篇AZO薄膜
  • 2篇电学
  • 2篇透明导电膜
  • 2篇溅射
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇P型
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇导体
  • 1篇电学性质
  • 1篇电子束
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇氧化物薄膜

机构

  • 9篇重庆大学
  • 3篇重庆邮电大学
  • 3篇重庆师范大学
  • 2篇郑州铁路职业...

作者

  • 6篇方亮
  • 5篇李丽
  • 3篇刘高斌
  • 3篇董建新
  • 3篇陈希明
  • 2篇常仁杰
  • 2篇李秋俊
  • 2篇廖克俊
  • 2篇付光宗
  • 2篇冯世娟
  • 2篇冯庆
  • 1篇何阿玲
  • 1篇彭丽萍
  • 1篇张淑芳
  • 1篇马勇
  • 1篇赵兴强
  • 1篇刘俊
  • 1篇王万录
  • 1篇王新强
  • 1篇杨丰帆

传媒

  • 2篇微细加工技术
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空
  • 1篇2007高技...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 3篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2005
共 6 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
直流磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及电学性质研究
2005年
本文采用直流反应磁控溅射方法在平面玻璃上制备了ZnO薄膜.所得的ZnO薄膜利用X光衍射,扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析和表征.实验结果表明,ZnO薄膜的结构和电学性质与合成条件密切相关.并测试了ZnO薄膜的温差电动势,得出薄膜中的载流子浓度越大,温差电动势率越小;ZnO薄膜厚度越大,温差电动势率越小.本文对其结果进行了理论分析.
李丽方亮廖克俊刘高斌杨丰帆付光宗
关键词：ZNO薄膜磁控溅射载流子浓度
衬底温度对磁控溅射氮化铝薄膜组成的影响
采用高纯铝靶和氮/氩混合气氛,在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了 AlN 薄膜,用 X 射线光电子能谱(XPS)分析了不同衬底温度下样品的组成。结果表明,AlN 薄膜主要含有 AlN,存在少量 AlO及一些其它杂质;...
张淑芳方亮付光宗董建新彭丽萍
关键词：氮化铝薄膜磁控溅射XPSAFM
文献传递
p型GaN上透明电极的研究现状
GaN 基发光器件通常采用金属作为 p 型 GaN 的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料。本文在分析 p-GaN 上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了...
董建新方亮张淑芳高岭孔春阳
关键词：透明导电膜GAN欧姆接触透明电极
文献传递
p型透明导电氧化物薄膜的研究进展被引量：4
2005年
p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用。近来在这方面的研究取得了一些突出的进展。本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展。
刘高斌冯庆李丽廖克俊王万录
关键词：半导体薄膜
Al掺杂ZnO薄膜的结构和热电性质研究被引量：8
2008年
用直流反应磁控溅射方法在透明平面玻璃上制备出Al掺杂ZnO薄膜,并对其结构和温差电动势率进行研究。实验结果表明,所制备样品具有C轴择优取向的多晶结构,温差电动势随着温差(ΔT)的增大而呈线性增加。并且样品的电阻越大,温差电动势率越小。在室温附近的环境温度对温差电动势率几乎无影响。退火处理后,温差电动势率增大。实验还发现,在外加磁场时,温差电动势率稍微减小。
李丽常仁杰方亮陈希明刘俊
关键词：AZO薄膜
Al掺杂的ZnO薄膜的XPS谱和光学特性研究被引量：4
2007年
采用直流反应磁控溅射法在玻璃基底上用Zn(99.99%)掺Al(1.5%)靶制备出高质量的Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线光电子能谱仪和紫外-可见光分光光度计分别对制备的AZO薄膜进行成分、元素的价态分析和光学性质的研究。其实验结果表明,Zn元素以氧化态的形式存在,Al元素以氧化态和单质的形式存在,O元素主要以晶格氧和吸附氧的形式存在。AZO薄膜的光学参数受退火温度的影响较大。AZO薄膜在可见光区域内透射率的平均值为85%,并且随着退火温度的升高,AZO薄膜在可见光区域内的透射率稍微增大;薄膜的紫外吸收边向短波方向移动;薄膜的光学带隙从3.83 eV增大到3.88 eV;并且消光系数在紫外区域随着波长的增大而急剧下降。
李丽常仁杰方亮李秋俊陈希明冯世娟
关键词：AZO薄膜光学性质
透明导电氧化物薄膜的研究进展
透明导电氧化物(TCO)因同时具有透明和导电的特点,被广泛用作平面显示器、太阳能电池、触摸屏板、热功能窗等的电极。本文结合作者研究小组近年来的科研工作, 分别对 n 型、p 型以及复合多层 TCO 膜的国内外研发情况进行...
方亮彭丽萍黄秋柳吴芳杨小飞孔春阳
关键词：透明导电透明导电氧化物光电性能
文献传递
Al掺杂ZnO薄膜的XPS谱及电学性质研究被引量：5
2008年
采用直流反应磁控溅射法在玻璃基底上用Zn(99.99%)掺杂Al(1.5%)靶制备出高质量的Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜。用X射线光电子能谱仪对退火处理后的薄膜进行了成分和元素的价态分析,并用Van der Pauw方法对样品的电学特性进行了测量。实验结果表明,Zn和Al元素都以氧化态的形式存在,O元素主要是以晶格氧和吸附氧的形式存在。AZO薄膜的电学性质受退火温度和氧氩比的影响较大。随着退火温度的升高,电阻率减小,载流子浓度和迁移率增大。随着氧氩比的增大,电阻率增大,迁移率减小。因此可得到用直流反应磁控溅射法制备AZO薄膜的最佳氧氩比和退火温度分别为0.3/27和400℃,在此条件下制备出的薄膜电阻率可低至10-4Ω.cm,载流子浓度可达1020cm-3。
李丽方亮李秋俊陈希明董建新冯世娟
关键词：AZO薄膜电学性质
电子束蒸发制备CuAlO_2透明导电膜及光学性质被引量：6
2007年
利用烧结的CuAlO2靶材运用电子束蒸发法沉积了p型CuAlO2薄膜样品。在空气中1000℃退火之后,薄膜样品出现了(006)定向结晶,且铜铝原子比满足化学计量。CuAlO2薄膜呈现了很好的透明性,500nm厚的薄膜样品在可见光范围透射率超过了80%。利用光谱分析,CuAlO2薄膜的光学禁带约为3.80eV,其平均折射率约为1.54,同其它方法制备的该薄膜的性能相近。薄膜样品室温电导率约为0.08S/cm。
刘高斌王新强冯庆何阿玲马勇赵兴强杨晓红
关键词：透明导电膜P型电子束蒸发
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