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湖南省科技计划项目(08FJ1002)

作品数:6 被引量:10H指数:2
相关作者:周继承巩小亮李绍文杨延林游亮更多>>
相关机构:中南大学更多>>
发文基金:湖南省科技计划项目更多>>
相关领域:理学电气工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇电池
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇光学
  • 2篇光学特性
  • 2篇CIS
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇电池材料
  • 1篇电特性
  • 1篇液相
  • 1篇直流反应磁控...
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池材...
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电薄膜
  • 1篇化学法

机构

  • 6篇中南大学

作者

  • 6篇周继承
  • 2篇巩小亮
  • 2篇李绍文
  • 1篇张治超
  • 1篇游亮
  • 1篇赵保星
  • 1篇彭银桥
  • 1篇杨延林
  • 1篇陈宇

传媒

  • 3篇应用科技
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种三明治结构透明导电薄膜的制备及光电性能被引量:2
2012年
采用直流磁控溅射法制备了ZAO/Cu/ZAO多层透明导电薄膜,研究了参铝氧化锌(ZAO)薄膜厚度对多层膜晶体结构和光电特性的影响.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计及四探针对样品的晶体结构与光电性能等进行了表征.结果表明,多层膜的平均透过率最高达86%,方块电阻达9/sq;ZAO膜层厚度对多层膜的导电性能影响很小,但严重影响可见光透过率;多层膜中的ZAO层仍呈ZnO晶态结构,且具有明显的c轴取向特征.这种三明治结构是一种性能优良的太阳能透明导电层候选材料.
周继承杨延林
关键词:磁控溅射透明导电薄膜光电特性
CuInS_2微米颗粒的液相回流法制备、表征与工艺优化被引量:2
2013年
以三乙烯四胺和乙二醇(1:1,体积比)为混合溶剂,在常压下于200℃反应2 h,由液相回流法合成了CuInS2微米颗粒。用XRD、SEM、EDS和UV-Vis spectra技术分别表征产物的物相、形貌、组分以及光学特性。结果表明:所合成的产物为纯相黄铜矿结构CuInS2微米颗粒,结晶度良好,满足化学计量比,光学禁带宽度为1.43 eV。反应温度对产物的物相影响较大,而对形貌的影响较小;反应温度为200℃时,CuInS2的性能最佳。反应时间对产物的物相和形貌的影响不大,反应时间达2 h,反应基本完成。
李绍文周继承游亮
关键词:太阳能电池材料光学特性
化学法结合快速热处理制备CuInSe_2粉末
2011年
以金属氯化物、Se粉为原料,在有机溶剂中经过回流反应合成前驱物,再经快速热处理制备了CuInSe2粉末.采用XRD、Raman光谱、TG-DTA、SEM、EDS对前驱物和样品的各种性质及工艺条件对产物的影响进行了分析和研究.结果表明:以乙二胺为溶剂时回流反应产物适宜作为制备CuInSe2粉末的前驱物,其通过快速热处理可以有效制备单相黄铜矿型CuInSe2粉末;提高热处理温度和增加热处理时间均有利于CuInSe2的完全形成和结晶质量的改善,但热处理时间的延长对产物微观形貌有不良影响,600℃/30min是较佳的热处理条件.
巩小亮周继承李绍文
关键词:太阳能电池粉末
磁控溅射制备TiO_2薄膜及其光学特性研究被引量:1
2010年
采用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备TiO2薄膜.用紫外-可见光分光光度计和AFM分别表征了薄膜的透射率和表面形貌,用包络线法详细研究了不同衬底温度下TiO2薄膜的光学特性.结果表明:薄膜在可见光波段有很高的透明度,且随着衬底温度的升高,薄膜的透射率略有增加,薄膜的折射率和吸收系数增大,薄膜的光学带隙减小;同时,薄膜表面粗糙度减小,薄膜变得平整.
周继承陈宇赵保星
关键词:TIO2薄膜直流反应磁控溅射衬底温度光学特性
CuInSe_2系粉体材料的研究现状与展望被引量:5
2010年
CuInSe2(简称CIS)及其衍生物因其优良的光伏特性而成为薄膜太阳能电池领域的研究热点。详细介绍了CIS系粉体的各种制备方法与研究进展,评述了各制备工艺的特点;并介绍了CIS系粉体在光电领域的应用情况。总结了CIS系粉体的研究现状,并提出了利用其制备溅射靶材以大幅度改进现有吸收层薄膜制备工艺的思路。
巩小亮周继承
关键词:CIS薄膜太阳能电池粉体
C_2H_2流量对SiCN薄膜结构及阻挡性能的影响被引量:1
2011年
采用C2H2和N2作为反应气体、多晶Si作为靶材,利用射频磁控溅射系统沉积了SiCN薄膜。利用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等研究了C2H2流量对薄膜结构、介电常数以及阻挡性能的影响。结果表明,薄膜为非晶结构,1000℃退火下未出现结晶,稳定性很好;随着C2H2流量的增大,薄膜表面颗粒呈现增大趋势;C原子取代Si原子占据薄膜中的网络位置,薄膜形成了以C-N键为主的网络结构;制得的SiCN薄膜介电常数在4.2~5.8之间,C,N含量以及薄膜结构是影响介电性能的关键因素,高温使得Cu穿过薄膜中的缺陷与Si发生互扩散是薄膜阻挡性能失效的主要原因。
张治超周继承彭银桥
关键词:射频磁控溅射SICNC2H2
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