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辽宁省教育厅高等学校科学研究项目(2004F006)

作品数:2 被引量:5H指数:2
相关作者:陈立佳宋贵宏李锋张硕娄茁更多>>
相关机构:沈阳工业大学更多>>
发文基金:辽宁省教育厅高等学校科学研究项目辽宁省博士科研启动基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇铝合金
  • 2篇合金
  • 1篇氮分压
  • 1篇电弧离子镀
  • 1篇硬质
  • 1篇硬质膜
  • 1篇离子镀
  • 1篇脉冲偏压
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇TIN膜
  • 1篇AL合金

机构

  • 2篇沈阳工业大学

作者

  • 2篇张硕
  • 2篇李锋
  • 2篇宋贵宏
  • 2篇陈立佳
  • 1篇娄茁

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇沈阳工业大学...

年份

  • 2篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
铝合金上电弧离子镀(Ti,Al)N膜的腐蚀特性被引量:2
2010年
研究铝合金上电弧离子镀(Ti,Al)N膜层的腐蚀性能。通过对3种N2气分压下沉积膜层的阳极极化曲线、电化学阻抗谱、盐雾腐蚀失重曲线以及表面形貌的分析表明:沉积过程氮分压较低时,膜层中含有富金属相,耐腐蚀性能较低;增加氮分压使膜层中金属与非金属呈理想配比时,膜层的耐腐蚀性明显增加;膜层在缺陷处产生点蚀、电偶腐蚀,并通过形成裂纹、碎屑脱落使质量显著减小。
宋贵宏张硕李锋陈立佳
关键词:AL合金电弧离子镀氮分压
脉冲偏压对铝合金上TiN膜生长的影响被引量:3
2010年
为了研究在铝合金上硬质膜的性能,促进硬质TiN膜在铝合金构件上的应用,利用电弧离子镀在7075铝合金上沉积TiN膜层,并通过改变脉冲偏压幅值研究其对薄膜生长过程的影响.结果表明,生长的TiN膜具有柱状特征,在无偏压或低偏压时,柱状特征明显,但随着负偏压值的增大,柱状特征变得不明显,膜层中Ti和N的原子比率增加,由无偏压、低偏压时近似为1.0增加到-200V偏压时的1.2.在0~-200V偏压范围内,沉积膜的平均生长速率由1.5μm/h增加到11.3μm/h.随着负偏压的增加,TiN膜的(111)方向的择优取向越来越明显,而(200)方向强度越来越小.沉积膜呈柱状生长,具有明显的择优取向,其程度受脉冲偏压影响.
宋贵宏张硕娄茁李锋陈立佳
关键词:TIN膜脉冲偏压薄膜生长硬质膜
共1页<1>
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