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国家自然科学基金(50472032)

作品数:5 被引量:11H指数:1
相关作者:夏长泰徐军张俊刚吴锋徐悟生更多>>
相关机构:中国科学院上海光学精密机械研究所通用电气公司中国科学院上海应用物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学

主题

  • 3篇光学
  • 2篇单晶
  • 2篇浮区法
  • 2篇CR
  • 1篇单晶体
  • 1篇导体
  • 1篇色心
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇禁带
  • 1篇晶体
  • 1篇宽禁带
  • 1篇宽禁带半导体
  • 1篇溅射
  • 1篇光谱
  • 1篇光学特性
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质

机构

  • 4篇中国科学院上...
  • 3篇通用电气公司
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 4篇吴锋
  • 4篇张俊刚
  • 4篇徐军
  • 4篇夏长泰
  • 3篇裴广庆
  • 3篇邓群
  • 3篇徐悟生
  • 1篇徐晓东
  • 1篇李斌
  • 1篇李抒智
  • 1篇周圣明
  • 1篇吴永庆

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
β-Ga_2O_3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性被引量:1
2007年
利用浮区法生长得到β-Ga2O3:Cr单晶体.在室温下测试了β-Ga2O3:Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱.通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数,得到10Dq/B=23.14,表明Cr3+在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场.β-Ga2O3:Cr单晶体经高温退火后Cr3+的发射明显加强,而绿光的发射减弱.采用420nm波长激发,在691nm可得到强而宽的特征发射,此发射对应于Cr3+的4T2→4A2跃迁.
张俊刚李斌夏长泰徐军邓群徐晓东吴锋徐悟生史宏生裴广庆吴永庆
关键词:浮区法光谱
透明导电氧化物MgIn_2O_4的研究进展
2005年
透明导电氧化物(TCO)材料由于它的特殊性质,在平板显示器和太阳能电池等方面得到了广泛的应用。MgIn2O4作为一种新型的尖晶石结构的透明导电材料,也受到了研究人员的重视,成为近年来的研究热点,常用的MgIn2O4材料制备方法包括固相合成、磁控溅射、脉冲激光沉积等,本文综合国外学者的一些研究成果,介绍了目前MgIn2O4材料的制备方法及其性能提高和应用。
张俊刚夏长泰吴锋徐军
关键词:透明导电氧化物磁控溅射脉冲激光沉积
Growth and Characteristics of Tunable Laser Crystals β-Ga2O3∶Cr
2006年
β-Ga2O3∶Cr single crystals have potential applications for tunable laser. In β-Ga2O3 crystal structure Cr3+ ions are in octahedron other than tetrahedron. So the Cr3+ ions are influenced by low field of β-Ga2O3 that results the 4T2 to 4A2 transition and show broad emission around 690 nm. β-Ga2O3 single crystals doped with different Cr3+ concentrations were grown by floating zone technique. Their absorption spectra and fluorescence spectra were measured at room temperature. The values of field splitting parameter Dq and Racah parameter B were calculated based on the absorption spectra.
Zhang Jungang Xia Changtai Deng Qun Xu Wusheng Shi Hongsheng Wu Feng Xu Jun
关键词:CRFLOATINGZONETUNABLELASER
气相传输平衡技术制备LiGaO_2薄膜
2006年
为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜的方法。经过X射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相LiGaO2组成。利用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,发现经气相传输平衡技术处理得到的薄膜表面形貌主要受温度的影响,表面晶粒尺寸随温度上升而增大。而X射线衍射测试表明随着温度上升,所得到的薄膜也从多晶向单晶化转变。在经过退火处理后,通过观察吸收谱发现LiGaO2薄膜中产生色心,并且色心的种类与温度有关。表明可以通过气相传输平衡技术技术,在远低于LiGaO2熔点的温度制备外延GaN用(001)LiGaO2∥(100)β-Ga2O3复合衬底。
张俊刚夏长泰吴锋裴广庆李抒智徐军周圣明邓群徐悟生史宏声
关键词:薄膜光学复合衬底色心
β-Ga_2O_3单晶浮区法生长及其光学性质被引量:11
2006年
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响。-βGa2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射。
张俊刚夏长泰吴锋裴广庆徐军邓群徐悟生史宏生
关键词:浮区法宽禁带半导体
共1页<1>
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