您的位置： 专家智库 > >

上海市教委科研基金(05AZ79)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：冉峰程东方徐志平沈伟星更多>>
相关机构：上海大学更多>>
发文基金：上海市教委科研基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇低压
  • 1篇电阻
  • 1篇优化设计
  • 1篇中功率
  • 1篇通态电阻
  • 1篇漏电
  • 1篇功率
  • 1篇沟槽
  • 1篇TCAD
  • 1篇DC-DC转...
  • 1篇DC-DC转...

机构

  • 2篇上海大学

作者

  • 2篇沈伟星
  • 2篇徐志平
  • 2篇程东方
  • 2篇冉峰

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微计算机信息

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
DC-DC转换器中功率沟槽MOSFET的优化设计被引量：2
2007年
利用工艺和器件模拟软件TSUPREM-4和MEDICI,研究了工艺参数对DC-DC转换器中的功率沟槽MOSFET的通态电阻Ron、栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在设计和工艺上减小通态电阻Ron和栅-漏电容Cgd,提高器件综合性能的途径。
沈伟星冉峰程东方徐志平
关键词：通态电阻
基于TCAD的低压沟槽MOSEFT栅漏电荷的研究被引量：1
2007年
对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能,栅-漏电荷Qgd是一个重要的参数。本文利用数值模拟软件TCAD(器件与工艺计算机辅助设计),研究了氧化层厚度、沟道杂质分布、外延层杂质浓度及沟槽深度等参数对功率沟槽MOSFET的栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在工艺设计上减小栅-漏电容Cgd,降低器件优值,提高开关性能的途径。
沈伟星冉峰程东方徐志平
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0