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国家自然科学基金(61306003)
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1
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发文基金:
国家自然科学基金
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应用于太阳能电池的硼掺杂纳米硅薄膜性能研究(英文)
被引量:1
2015年
本文采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备了轻度掺杂的氢化非晶硅薄膜,沉积过程中以Si H4,B2H6和H2的混和气作为反应源.原始淀积材料经过800和1000°C的高温热退火处理后,形成了硼掺杂的纳米硅薄膜.X射线光电子能谱(XPS)显示硼原子在薄膜中形成了替位式掺杂.根据不同温度下暗电导率的测量结果,轻度硼掺杂的纳米硅薄膜具有较高的室温暗电导率和较低的激活能.进而,采用该种P型硅薄膜材料以N型单晶硅为基底,制作了P-N结太阳能电池器件.根据电流-电压特性以及光谱相应曲线的测量分析,对电池的性能特性进行了研究.
宋超
王祥
宋捷
林圳旭
张毅
郭艳青
黄锐
关键词:
纳米硅薄膜
SI
硼掺杂
Defect emission and optical gain in SiC_xO_y:H films
<正>In this work,luminescent SiCxOy:H films,which are fabricated at different CH4 flow rates using very high-fr...
Zhenxu Lin
Rui Huang
Yi Zhang
Jie Song
Hongliang Li
Yanqing Guo
Chao Song
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