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应用于太阳能电池的硼掺杂纳米硅薄膜性能研究(英文)被引量：1: 2015年; 本文采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备了轻度掺杂的氢化非晶硅薄膜,沉积过程中以Si H4,B2H6和H2的混和气作为反应源.原始淀积材料经过800和1000°C的高温热退火处理后,形成了硼掺杂的纳米硅薄膜.X射线光电子能谱(XPS)显示硼原子在薄膜中形成了替位式掺杂.根据不同温度下暗电导率的测量结果,轻度硼掺杂的纳米硅薄膜具有较高的室温暗电导率和较低的激活能.进而,采用该种P型硅薄膜材料以N型单晶硅为基底,制作了P-N结太阳能电池器件.根据电流-电压特性以及光谱相应曲线的测量分析,对电池的性能特性进行了研究.; 宋超王祥宋捷林圳旭张毅郭艳青黄锐; 关键词：纳米硅薄膜 SI 硼掺杂

Defect emission and optical gain in SiC_xO_y:H films: <正>In this work,luminescent SiCxOy:H films,which are fabricated at different CH4 flow rates using very high-fr...; Zhenxu LinRui HuangYi ZhangJie SongHongliang LiYanqing GuoChao Song; 文献传递

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国家自然科学基金(61306003)