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吉林省科技厅科技发展计划项目(20110952)
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Ge@C_(82)结构及性质的理论研究
2012年
采用密度泛函理论方法,对Ge@C82的结构及性质进行计算研究.结果表明,由于包合Ge,C82碳笼平均键长增长,碳笼增大,而且Ge原子略微偏离碳笼中心.三重态的C2Ge@C82为能量最低结构.自然布居分析表明,C2C82与Ge之间未发生电子转移,可以用C2Ge@C82来表示它的结构.C2C82和C2Ge@C82的红外光谱计算结果显示,二者的主要区别为C2Ge@C82在1100~1200 cm-1区间的吸收峰变得更尖锐.
洪波
金东日
李蕴
马亚娟
卢敏
李霞
张好好
孙钰
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电子结构
电子性质
密度泛函理论
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