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国家自然科学基金(61306039): 作品数：11 被引量：7H指数：2; 相关作者：袁甲黑勇陈黎明张苏敏陈铖颖更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所厦门理工学院中国科学院大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生更多>>

面向石墨烯霍尔器件检测应用的模拟前端电路: 2017年; 面向石墨烯霍尔器件的检测应用,设计了一款斩波稳定的模拟前端电路。基于可编程斩波放大器和2阶斩波Σ-Δ调制器进行设计,获得了良好的噪声性能和较大的输出动态范围。采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号工艺实现,电路整体面积为1.84mm^2。测试结果表明,在电源电压为3.3V,信号带宽为50Hz条件下,该模拟前端电路的典型输出信号失真比达到58.4dB,有效精度为9.4位,整体功耗仅为1.32mW,磁场检测分辨率可达4.4×10^(-5) T。; 陈铖颖陈黎明; 关键词：石墨烯模拟前端斩波 Σ-Δ调制器

面向亚阈值的脉冲生成电路设计被引量：2: 2014年; 基于SMIC 130nm工艺,提出了一种新的面向亚阈值的脉冲生成电路.设计中采用三输入与非门作为延时单元,更好地平衡单元的上拉延时和下拉延时,提高了延时路径的稳定性.新结构脉冲生成电路功能不受工艺偏差和温度变化的影响,在0.3V工作电压,不同工艺角以及-40~125℃温度范围内都能生成稳定可靠的脉冲信号.; 张苏敏陈黎明袁甲黑勇; 关键词：亚阈值

一种近阈值电压标准单元特征化建库方法: 2019年; 面向近阈值电压下库单元的实际使用情况,针对传统库文件查找表误差较大的问题,提出了一种近阈值电压下对标准单元的特征化建库方法.通过对标准单元实际应用情况的分析,重新界定了查找表的边界;通过分析电路综合结果与电路仿真结果的相对误差,重新确定了查找表的规模;从而提高了近阈值电压下标准单元库准确性.该方法对smic55nmCMOS工艺的库文件在0.6 V电压下特征化建库,并进行误差评估,结果表明,该方法相较于传统方法建立的库文件,准确性提高了16%～63.51%,减小了查找表误差,有效提高了库文件的准确性.; 胡伟安文婷袁甲; 关键词：标准单元库查找表库文件

用于脑电信号记录的低噪声低功耗放大器: 2017年; 为了满足脑电信号(EEG)记录阵列的应用需求,设计了一种全差分的低噪声、低功耗放大器电路。该电路利用亚阈值区晶体管作为伪电阻,与输入电容和反馈电容形成高通通路,有效抑制了输入信号的直流失调电压,无需片外隔直电容,实现了电路的全集成。放大器中的跨导放大器(OTA)采用亚阈值晶体管进行设计,实现了较大的输出摆幅、良好的功耗和噪声性能。放大器电路采用SMIC 130 nm 1P8M混合信号工艺实现,芯片面积0.6 mm^2。测试结果表明,在电源电压0.6 V时,放大器可处理信号带宽为10 Hz^7 kHz,等效输入噪声的均方根值为3.976μV,噪声有效因子为3.658,总功耗仅为2.4μW。; 陈铖颖陈黎明杨骏; 关键词：低噪声低功耗亚阈值

面向近亚阈值的标准单元库设计方法: 2016年; 由于商用标准单元无法支持在极低电压下工作,为使数字电路能够工作其最优能耗点,采用smic130nm CMOS工艺,对近/亚阈值电压下标准单元库的设计方法展开研究,定制了近/亚阈值的标准单元库.测试结果显示,所有库单元能够正常工作的电源电压低于90mV.为了进一步验证定制标准单元库的稳定性,我们提出了一个4×8的FIR滤波器,测试芯片选择了130nm的CMOS工艺进行流片,测试结果显示时钟频率为100 Hz时,最低能耗点的工作电压为0.25V,能耗是150nJ/cycle,芯片的最低工作电压为0.18V.; 商新超袁甲张福海; 关键词：标准单元库

一种基于商用标准单元库的极低电压电路设计方法被引量：2: 2014年; 为满足无线传感节点对极低功耗的要求,提出了一种基于商用标准单元库的极低电压电路设计方法.采用一种量化评价稳定性的标准,对SMIC 130nm RVT标准单元库进行评价,得到其能够接受的最低工作电压是0.5V.面向新的电压范围,重新进行库的特征化,并进行FIR滤波器设计.后仿真结果显示,FIR电路能够在1.2~0.5V电压范围内正常工作.随电源电压的降低,功耗降低了7倍,进一步增强了低电压技术对电路功耗的优化作用.; 袁甲张苏敏商新超陈黎明黑勇; 关键词：标准单元库

A 320 mV,6 kb subthreshold 10T SRAM employing voltage lowering techniques被引量：1: 2015年; This paper presents a 6 kb SRAM that uses a novel 10 T cell to achieve a minimum operating voltage of 320 m V in a 130 nm CMOS process. A number of low power circuit techniques are included to enable the proposed SRAM to operate in the subthreshold region. The reverse short channel effect and the reverse narrow channel effect are utilized to improve the performance of the SRAM. A novel subthreshold pulse generation circuit produces an ideal pulse to make read operation stable. A floating write bit-line effectively reduces the standby leakage consumption. Finally, a short read bit-line makes the read operation fast and energy-saving. Measurements indicate that these techniques are effective, the SRAM can operate at 800 k Hz and consume 1.94 W at its lowest voltage(320 m V).; 蔡江铮张苏敏袁甲商新超陈黎明黑勇; 关键词：SRAM 短沟道效应 CMOS工艺

近阈值非预充静态随机存储器被引量：1: 2018年; 为了降低静态随机存储器在处理声音和视频数据时的功耗,提出一款新型的非预充单元.相比常规6管和8管单元,其读操作消除了预充机制,抑制了无效的翻转,因此功耗得到显著优化.本单元通过多阈值技术,在保证低电压区域读噪声容限的同时也加强了数据读出的能力.而且通过引入切断反馈环的机制,有效地提升了单元写能力.此外,在存储阵列中应用半斯密特反相器,大幅地提升了静态随机存储器读操作的性能.基于SMIC 130nm工艺,分别实现容量为6kbit的非预充和常规8管静态随机存储器测试芯片.测试和仿真数据表明,这种新型存储器相比常规8管存储器在功耗的抑制上具有显著优势,可以作为低功耗应用的良好选择.; 蔡江铮黑勇袁甲袁甲; 关键词：静态随机存储器低功耗

应用反短/窄沟效应优化亚阈值SRAM单元: 2017年; 为缓解传统存储器单元尺寸设计方法在亚阈值区引入的面积和外围电路开销问题,采用晶体管的反短沟效应和反窄沟效应改进传统方法,不仅解决了亚阈值电压下单元面积和外围辅助电路开销过大的问题,还进一步提升了单元的噪声容限和读写速度.以10管静态随机存储器单元为研究对象,基于中芯国际130 nm工艺进行物理实现,测试结果表明,相比于传统方法,所提出的尺寸设计方法节省单元面积开销76%,提升静态噪声容限30.5%,使静态随机存储器能稳定地在0.32 V的电压下工作.; 蔡江铮袁甲陈黎明黑勇; 关键词：亚阈值静态随机存储器尺寸设计

一种用于助听器SoC的上电复位及欠压检测电路被引量：1: 2015年; 设计了一种用于助听器SoC的上电复位及欠压检测电路。该电路包括输入级电路、8位逐次逼近模数转换器、片上振荡器、低压差线性稳压器和数字逻辑电路。电路采用SMIC 0.13μm1P8M CMOS工艺实现,后仿真结果表明,在1V电源电压下,电路能够完成上电复位及欠压检测功能;在100Hz输入信号和62.5kHz时钟频率下,模数转换器输出信号的信号失真比(SNDR)为47.77dB,有效位数(ENOB)达到7.64位。整体电路功耗为140μW。; 陈铖颖陈黎明范军胡晓宇黑勇; 关键词：助听器上电复位

国家自然科学基金(61306039)

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