中国工程物理研究院科学技术发展基金(20050865)
- 作品数：2 被引量：22H指数：2
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- 不同氧氩比例对氧化硅(SiO_2)薄膜的结构及性能的影响被引量：7
- 2007年
- 在不同氧氩比例气氛下,采用反应直流磁控溅射方法制备了SiO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见光谱(UV-Visible spectrum)等研究了氧氩比例的不同对SiO2薄膜的晶体结构、化学配比、表面形貌和光学性能的影响。结果显示:室温下,不同氧氩比例的SiO2薄膜都为非晶结构;随着氧分量的增加,Si2p与O1s向高结合能方向移动;在氧分量较大的气氛下,SiO2薄膜的化学失配度较小,薄膜均匀,致密,在400-1100nm有良好的光透过性。
- 何智兵吴卫东唐永建程丙勋许华
- 关键词：材料学SIO2薄膜
- 不同氧氩比例对氧化铪(HfO_2)薄膜的结构及性能的影响被引量：15
- 2006年
- 在不同氧氩比例气氛下,采用直流磁控反应溅射方法制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见光谱(UV-Visible spectrum)等研究了氧氩比例的不同,对HfO2薄膜的晶体结构、化学配比、表面形貌和光学性能的影响。结果显示:室温下,不同氧氩比例的HfO2薄膜都为非晶结构;随着氧分量的减少,Hf4f与O1s的XPS峰向小的结合能方向移动;在氧分量较大的气氛下,HfO2薄膜的化学失配度较小,薄膜均匀,致密,在400 nm^1 100 nm有良好的光透过性。
- 何智兵吴卫东许华张继成唐永建
- 关键词：HFO2薄膜直流磁控反应溅射XPS
