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国家自然科学基金(60376002)

作品数：3 被引量：5H指数：1
相关作者：龚秀英高玉竹吴俊徐非凡戴宁更多>>
相关机构：中国科学院同济大学静冈大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇截止波长
  • 3篇波长
  • 2篇电学
  • 2篇电学性质
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇外延法
  • 2篇INAS
  • 2篇INASSB
  • 1篇液相外延
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇外延层
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇同济大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇静冈大学

作者

  • 3篇高玉竹
  • 3篇龚秀英
  • 2篇吴俊
  • 1篇陈涌海
  • 1篇方维政
  • 1篇梁骏吾
  • 1篇戴宁
  • 1篇山口十六夫
  • 1篇徐非凡
  • 1篇桂永胜

传媒

  • 2篇光电子．激光
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
截止波长12μm的InAs_(0.04)Sb_(0.96)/GaAs的熔体外延生长及特性研究
2007年
用熔体外延（ME）法在半绝缘（100）GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12μm的InAS0.04Sb0．96外延层。傅立叶变换红外（FTIR）透射光谱揭示，InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄。通过分析InAS0.04Sb0．96外延层载流子浓度的温度依存性表明，其室温禁带宽度为0．1055eV，与透射光谱测得的数值很好地一致。通过测量12-300K的吸收光谱，研究了InAS0．04Sb0．96／GaAs的禁带宽度的温度依存性。霍尔测量得出300K下样品的电子迁移率为4．47×100cm^2／Vs，载流子浓度为8．77×10^15cm^-3；77K下电子迁移率为2．15×10^4cm^2／Vs，载流子浓度为1．57×10^15cm^-3；245K下的峰值迁移率为4．80×10^4cm2／Vs。
高玉竹龚秀英陈涌海吴俊
关键词：禁带宽度电学性质
用熔体外延法生长的截止波长10μm以上的InAsSb单晶被引量：5
2004年
用熔体外延法,在液相外延系统中,在InAs衬底上成功地生长出了截止波长为11μm的InAsSb单晶.虽然使用液相外延设备,但熔体外延具有不同于液相外延等常规晶体生长方法的创新生长工艺.红外傅里叶光谱测量证明InAsSb材料的截止波长超过10μm.X射线衍射光谱揭示InAsSb外延层具有相当完美的晶体取向结构,且与InAs衬底取向一致,均为(100)方向.霍尔测量结果给出295K下,InAsSb的电子迁移率为4.75×104cm2/Vs,截流子浓度为3.61×1016cm-3;77K下电子迁移率为2.86×104cm2/Vs,载流子浓度为1.50×1016cm-3.数据显示这种材料具有研制新型探测器的良好前景.
高玉竹龚秀英方维政徐非凡吴俊戴宁
关键词：截止波长液相外延电子迁移率外延层载流子浓度
熔体外延法生长的截止波长12μm的InAs_(0.04)Sb_(0.96)的电学性质
2005年
用Van der Pauw法研究了熔体外延(ME)法生长的截止波长为12μm的InAs0.04Sb0.96单晶电学性质,测量了其电学性质随温度的变化,结果为:300 K时,n=2.3×1016cm-3,μ=6×104cm2/Vs;200K时,n=1×1015cm-3,μ=1×105cm2/Vs。分析了石墨舟和石英舟中生长的外延材料不同的电学特性及其散射机理。结果表明,电离杂质散射控制所有样品在低温时的电子输运过程,而高温时材料的电子迁移率主要由极性光学声子的散射过程决定;C的沾污对石墨舟中生长的InAs0.04Sb0.96单晶在200 K以下的电子迁移率有明显的影响。
高玉竹龚秀英梁骏吾桂永胜山口十六夫
关键词：INASSB电子迁移率
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