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蓝宝石(0001)衬底上Ga浸润层对ZnO外延薄膜质量的影响被引量：1: 2004年; 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属Ga薄层的方法生长出了高质量的ZnO单晶薄膜. 这个Ga薄层的引入完全抑制了导致ZnO薄膜质量下降的旋转畴和倒反畴的形成. 反射式高能电子衍射(RHEED)原位观察以及高分辨X射线衍射(HRXRD)、透射式电子显微(TEM)和会聚束电子衍射(CBED)测试表明, 该薄膜具有很高的晶体质量和单一Zn极性. 详细讨论了Ga浸润层在ZnO的极性选择以及缺陷密度的减少等方面所起的作用, 并通过一个双层Ga原子模型分析了单一极性生长的机理.; 曾兆权王勇杜小龙梅增霞孔祥和贾金锋薛其坤张泽; 关键词：半导体材料蓝宝石衬底氧化锌薄膜

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国家自然科学基金(60376004)