国家自然科学基金(60376005)
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 相关作者：张国义王涛姚键全苏月永潘尧波更多>>
- 相关机构：北京大学天津大学中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)被引量：1
- 2006年
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(202-1)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(11-00)面反射扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同。从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础。
- 苏月永陈志涛徐科郭立平潘尧波杨学林杨志坚张国义
- 关键词：氮化镓X射线衍射
- 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)被引量：2
- 2005年
- 文章评论性地介绍了金属有机化学气相外延技术(MOCVD)生长氮化物半导体GaN和InGaN以及激子局域化效应、量子束缚斯塔克效应对它们的光学性能的影响,详细比较了这两种效应对GaN基半导体发光二极管和激光二极管特性的影响,特别是量子束缚斯塔克效应以显著不同的方式影响着发光二极管和激光二极管的性能;文章还讨论了在A面蓝宝石衬底上生长GaN的情况.
- 王涛王涛姚键全
- 关键词：INGAN发光二极管激光二极管金属有机化学气相沉积氮化物半导体
- 线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性被引量：1
- 2006年
- 利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致.我们的结果表明,线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的,而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度.
- 陈志涛徐科杨志坚苏月永潘尧波杨学林张酣张国义
- 关键词：摇摆曲线
- 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ)被引量：1
- 2005年
- 王涛姚键全张国义
- 关键词：INGAN/GAN发光二极管金属有机化学气相沉积激光二极管半导体斯塔克效应
