国家自然科学基金(90305016)
- 作品数：26 被引量：144H指数：8
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- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程理学更多>>
- 孔结构对氮化硅陶瓷介电性能的影响被引量：3
- 2007年
- 采用添加成孔剂和冰冻-干燥法制备了具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷,研究了该陶瓷在9.3GHz的微波介电性能。用SEM对微观形貌进行观察。结果表明,不同的成型工艺制备出具有不用孔结构的氮化硅多孔陶瓷,添加成孔剂制备的多孔陶瓷为较大的孔、洞分布在较致密的基体上;冰冻-干燥法制备的多孔陶瓷具有复合孔结构。对试样介电特性的研究表明,除了气孔率对介电常数和介电损耗有较大影响外,孔结构也是影响其介电特性的重要因素。
- 李军奇赵锴徐洁罗发朱冬梅周万城
- 关键词：氮化硅多孔陶瓷成孔剂干燥法介电性能
- Al离子掺杂正极材料LiMn_2O_4的高温循环性能被引量：7
- 2007年
- 采用固相反应法分别合成正极材料LiMn_2O_4和LiAl_xMn_(2-x)O_4(x=0.05,0.1,0.3)。对它们进行XRD和SEM测试,并对比了高温下的循环性能。结果显示:除Al掺杂量x=0.3时,合成物出现了LiAlO_2杂质相外,其余皆具有单一的尖晶石相结构。掺杂后的晶体颗粒比较圆润。LiMn_2O_4在高温下经过20次循环后,其比容量降低29%,衰减很快。造成衰减的主要原因是Mn^(3+)歧化反应生成的Mn^(2+)在电解液中的溶解,以及Jahn-Teller效应。通过阳离子Al^(3+)的掺杂,有效的提高了尖晶石LiMn_2O_4的高温循环性能。
- 李智敏罗发张玲朱冬梅周万城
- 关键词：正极材料锰酸锂高温循环性能
- SiC_F的热解碳涂层的制备被引量：1
- 2007年
- 以C_3H_6为源气体,N_2为稀释气,在800℃～1200℃温度范围内,SiC纤维上进行了热解碳的沉积。研究了沉积温度、系统压力和P_(N_2)/P_(C_3H_6)对热解碳沉积速率和沉积层形貌的影响。结果表明:在沉积温度低于900℃,系统总压小于1 KPa条件下,沉积速率低,难以进行热解碳的沉积。随着沉积温度、系统压力升高,沉积速率升高,沉积层形貌发生改变。过低的P_(N_2)/P_(C_3H_6)导致不均匀的热解碳沉积形貌,局部有碳颗粒的生成。沉积温度为1000℃、系统总压10KPa左右、P_(N_2)/P_(C_3H_6)为2:1的条件下可获得均匀致密的热解碳沉积层。反应热力学和动力学条件随工艺参数的改变而改变,这是热解碳沉积层形貌改变的主要原因。
- 赵锴于新民罗发朱冬梅周万城
- 关键词：热解碳沉积速率形貌丙烯
- 成孔剂和硅粉粒度对反应烧结氮化硅性能的影响被引量：3
- 2007年
- 以硅粉为原料,通过添加不同含量的成孔剂,反应烧结制备出具有不同气孔率的低密度多孔氮化硅陶瓷,研究了成孔剂含量和硅粉粒度对反应烧结氮化硅性能的影响。结果表明,随着成孔剂含量的增加,试样气孔率变大,强度随之减小,烧结后试样中的α-Si3N4相增多,介电常数实部和介电损耗降低,最低介电常数实部可达到2.4左右;不同粒度硅粉中添加30%(质量分数,下同)成孔剂的坯体烧结,在气孔率保持不变的条件下,初始硅粉粒度越小,烧结后试样强度越大,介电常数实部和介电损耗明显减小。
- 徐洁罗发陈黄鹂李军奇苏晓磊周万城
- 关键词：成孔剂硅粉粒度介电常数
- 包覆成孔剂法制备高性能多孔氮化硅陶瓷工艺被引量：1
- 2010年
- 为了制备高强度且分布均匀的氮化硅陶瓷,采用包覆成孔剂法改进普通添加成孔剂的方法,常压烧结氮化硅多孔陶瓷,采用阿基米德法、三点弯曲法分别测试材料的孔隙率及抗弯强度,用扫描电镜和光学放大镜对氮化硅多孔陶瓷显微结构和表观结构进行研究.结果表明,添加包覆过的成孔剂强度比添加未包覆的成孔剂强度高,孔隙率为50%时,强度增加近一倍.强度的提高归因于特殊的微观结构,即气孔的均匀分布和孔与孔之间相间隔分布.
- 李坊森周万城胡汉军罗发朱冬梅
- 关键词：多孔氮化硅陶瓷抗弯强度
- 溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜研究被引量：11
- 2007年
- 研究了用溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜的工艺、掺杂及其显微结构。用六水合氯化铝在溶胶中引入Al2O3。掺杂Al的含量为1%,3%,6%和9%。用浸涂法在石英玻璃基片上浸涂ZnAO薄膜,研究了热处理、掺杂对ZAO薄膜相组成和显微结构的影响。X射线衍射结果表明,衍射图谱中无Al2O3的衍射峰。随着掺杂量的变化,ZnO主要衍射峰的位置、晶面间距均发生了有规律的变化,说明Al掺杂进了ZnO晶格中。研究结果表明,溶胶浓度、Al掺杂量、热处理温度都影响薄膜的显微结构。当薄膜厚度较大时,热处理过程中ZnO晶粒呈现明显的择优生长现象。
- 陈黄鹂罗发周万城朱冬梅吴红焕
- 关键词：溶胶-凝胶ZAO薄膜
- 包覆工艺制备多孔低介电氮化硅陶瓷的研究被引量：3
- 2008年
- 以硅粉为原料,通过添加成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用包覆工艺、干压成型,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,对比了包覆工艺对实验结果的影响。结果表明,采用包覆工艺较未采用包覆工艺制得的多孔氮化硅陶瓷有着更高的气孔率,宏观孔分布均匀,有较多的微孔,介电性能良好。
- 胡汉军周万城李坊森罗发朱冬梅徐洁
- 关键词：包覆多孔氮化硅成孔剂介电
- 氧化铋掺杂对铌酸钾钠无铅压电陶瓷性能的影响被引量：26
- 2007年
- 用传统固相反应法制备了结构致密的铌酸铋钾钠[(Na0.5K0.5)1–3xBixNbO3,0≤x≤0.05]无铅压电陶瓷,研究了掺杂氧化铋(Bi2O3)对铌酸钾钠(Na0.5K0.5)NbO3(NKN)晶体结构和压电性能的影响。结果表明:当Bi2O3含量x<0.02时,能得到具有纯钙钛矿结构的(Na0.5K0.5)1–3xBixNbO3陶瓷。最佳烧结温度随Bi2O3含量的增加而升高,与纯铌酸钾钠陶瓷相比,样品密度显著提高。Bi2O3掺杂量对铌酸钾钠的压电性能有很大影响,其压电常数(d33),机电耦合系数(kp,kt)随Bi2O3含量的增加先升高而后降低,并在x=0.01时达到最大值,机械品质因数(Qm)有明显提高。实验表明:当x=0.01时,(Na0.5K0.5)1–3xBixNbO3无铅压电陶瓷的密度达4.42g/cm3,表现出优异的压电性能:d33=154×10–6C/N,kp=45%,kt=46%,介电损耗tanδ=3.5%,相对介电常数εr=598,Qm=138。
- 刘代军杜红亮唐福生罗发周万城
- 关键词：无铅压电陶瓷铌酸钾钠压电性能氧化铋
- Al_2O_3/Ni金属陶瓷力学性能和介电性能的研究被引量：5
- 2008年
- 以热压烧结的方法制备了Al2O3/Ni金属陶瓷,探讨了Al2O3/Ni金属陶瓷显微结构、力学性能及微波介电性能随Ni粒子含量变化的规律。结果表明,在垂直于压力方向上,Ni粒子有明显的受压拉伸现象;当Ni粒子含量从5%（体积分数）增加至20%（体积分数）时,金属陶瓷中Ni粒子的分布由孤立向部分桥连方式转变。随Ni粒子含量的增加,金属陶瓷致密度略有下降,抗弯强度明显降低。与纯氧化铝陶瓷相比,含20%（体积分数）Ni粒子Al2O3/Ni金属陶瓷的断裂韧性提高了50%左右,达到6.4MPa.m1/2。复介电常数测试结果表明,在8.2-12.4GHz频率范围内,金属陶瓷复介电常数的实部和损耗随Ni粒子含量的增加逐渐上升。当Ni粒子含量达到20%（体积分数）时,由于Ni粒子之间的部分桥连现象而使介电常数虚部在一定频段出现负值。
- 刘代军罗发李鹏朱冬梅周万城
- 关键词：介电性能力学性能
- SiCN/Sialon复合材料的制备及微波介电性能研究
- 2005年
- 以AlN、Al2O3和Y2O3为添加剂,用无压烧结法制备了SiCN/Sialon复合材料。研究表明,在相同烧结条件下,随着纳米SiCN含量的增加,材料的烧结致密度下降。XRD结果表明,SiCN/Sialon复合材料由主晶相β-Sialon(Si3Al3O3N5)和极少量的SiO2、β-SiC组成。SEM研究表明,随着纳米SiCN含量的增加,材料中棒状的β-Sialon(Si3Al3O3N5)含量明显减少。抗弯强度研究表明,β-Sialon(Si3Al3O3N5)复合材料的抗弯强度随着纳米SiCN含量的升高而降低,从纯Sialon陶瓷的530MPa下降到含22.26%SiCN时的196MPa,其原因是由于随着纳米SiCN含量的增加,材料的致密度降低,β-Sialon(Si3Al3O3N5)含量减少所致。SiCN/Sialon复合材料复介电常数的实部和虚部均随纳米SiCN含量的升高而增大,但是低于预期值,其原因是由于长时间高温烧结时,纳米SiCN结构发生变化,其复介电常数的实部和虚部大幅度下降造成。
- 张富宽罗发张华周万城
- 关键词：SIALON复介电常数
