国家高技术研究发展计划(2002AA313100)
- 作品数：3 被引量：22H指数：3
- 相关作者：胡小燕张艳冰苏艳梅陈良惠种明更多>>
- 相关机构：中国科学院华北光电技术研究所中国电子科技集团第十一研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制被引量：3
- 2007年
- 采用GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs多量子阱,研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术,在5.08 cm半绝缘GaAs衬底上完成的。发展了双色大面阵制备工艺,二维光栅的制备使用标准光刻和离子束刻蚀技术。在77 K时,对量子阱红外探测器测试,得到中、长波段峰值探测率分别为Dλ=(1.61～1.90)×1010 cmHz1/2W-1和(1.54～2.67)×1010 cmHz1/2W-1。中、长波段峰值波长分别为(2.7～3.8)μm和8.3μm。
- 种明马文全苏艳梅张艳冰胡小燕陈良惠
- 关键词：红外探测器
- 160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制被引量：7
- 2007年
- 报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试,器件的平均峰值探测率Dλ*=1.28×1010 cmW-1Hz1/2,峰值波长为λp=8.1μm,截止波长为λc=8.47μm。器件的非盲元率≥98.8%,不均匀性10%。
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- 关键词：长波红外探测器焦平面阵列
- 128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列被引量：13
- 2005年
- 研制了128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面阵列,它是目前国内报道的最大像元数的量子阱红外焦平面阵列.77K时,器件的平均黑体响应率Rv=2.81×107V/W,平均峰值探测率Dλ=1.28×1010cm·W-1·Hz1/2,峰值波长λp=8.1μm,器件的盲元率为1.22%.
- 苏艳梅种明张艳冰胡小燕孙永伟赵伟陈良惠
- 关键词：红外探测器焦平面阵列
