重庆市自然科学基金(AC4034)
- 作品数：6 被引量：23H指数：2
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- Mg掺杂对Zn1-xMgxO薄膜结构和光电性质的影响
- 利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了不同掺杂浓度的ZnMgO(0≤x≤0.09)薄膜,借助X射线衍射(XRD)、透射谱测试、霍耳测试等手段对ZnO薄膜的结构及光电性质进行了研究。实验结果表明,所制备的薄膜均具有轴择优...
- 黄桂娟孔春阳秦国平阮海波
- 关键词：晶格常数透射谱
- 文献传递
- p型ZnO薄膜的制备及特性被引量：13
- 2007年
- 采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征,结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向,退火后p型ZnO薄膜的最高载流子浓度和最低电阻率分别为1.68×1016cm-3和41.5Ω.cm.讨论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜p型转变的影响.
- 王楠孔春阳朱仁江秦国平戴特力南貌阮海波
- 关键词：离子注入P型ZNO薄膜退火射频磁控溅射
- P型ZnO薄膜的制备及特性研究被引量：2
- 2007年
- ZnO是一种新型的自激活宽带隙半导体材料，是一种理想的短波长发光器件材料，在光电子、高温大功率器件、高频微波器件以及信息技术领域等方面有着广阔的应用前景，实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜光电子应用的关键。本文用射频磁控溅射技术，在直径为100mm的单晶Si（110）衬底上制备ZnO薄膜，薄膜厚度为1．8μm。用多功能离子注入机对ZnO薄膜进行N离子注入。通过退火实现了ZnO薄膜的P型转变。扫描电镜（SEM）观察表明，离子注入使薄膜表面形貌产生损伤和缺陷，粗糙度明显增加，但退火对表面形貌有很大改善。X射线衍射（XRD）给出样品具有对应于ZnO（002）面的衍射峰，表明薄膜具有较好的C轴择优取向。在不同温度下（500℃，650℃，800℃，900℃，950℃），
- 孔春阳王楠朱仁江秦国平戴特力南貌阮海波
- 关键词：离子注入P型ZNO薄膜退火射频磁控溅射
- p型ZnO∶Mn-N薄膜的制备及特性研究被引量：1
- 2009年
- 用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了较高结晶质量的ZnO：Mn薄膜，继而进行N离子注入和退火处理，成功实现了ZnO薄膜的Mn—N两步法共掺杂和P型转变。利用X射线衍射（XRD）、Hall测试、分光光度计、X射线光电子能谱（XPS）等测试手段对其性能进行了分析。结果表明：所测样品均具有单一的c轴择优取向，薄膜在退火后没有检测到其它杂质相的生成；薄膜在650℃经10～30min退火时均可实现P型转变，空穴浓度可达10^16-10^17cm^-3，表明650℃可能为ZnO：Mn—N体系中N离子达到电激活成为有效受主的温度；XPS能谱证明了Mn^2＋、N^3-离子的掺入；在热退火作用下，部分间隙位N离子达到电激活通过扩散进入O空位，形成N-Zn或N-Mn键，是样品转变为P型的依据；P型ZnO：Mn—N薄膜室温下的禁带宽度为3．16eV，相对未掺杂ZnO的禁带宽度3．29eV明显减小。
- 阮海波孔春阳秦国平南貌
- 关键词：离子注入电激活P型ZNO
- Zn_(1-x)Mg_xO薄膜及其p型掺杂的研究进展
- 2011年
- Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用,并提出了有待进一步研究的问题。
- 黄桂娟孔春阳秦国平
- 关键词：宽禁带半导体材料P型掺杂
- 退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响被引量：9
- 2008年
- 利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600℃,退火时间控制在5-10 min内,可以获得较稳定的p型ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10^18cm^-3,迁移率为2.19 cm2V-1s^-1,电阻率是2.33Ωcm。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其常温下的禁带宽度为3.25 eV,相对块材本征ZnO的禁带宽度略有减小。
- 秦国平孔春阳阮海波南貌朱仁江
- 关键词：P型ZNO退火透射谱
- 粉末溅射制备N-In共掺p型ZnO薄膜
- 2009年
- 在石英玻璃衬底上以ZnO∶In2O3粉末为靶材,采用射频磁控溅射法制备出具有良好c轴择优取向的ZnO∶In薄膜,继而对样品进行二次N离子注入掺杂,成功实现N-In共掺p型ZnO薄膜。借助XRD、Hall测试、XPS和透射谱测试手段研究分析了共掺ZnO薄膜的晶体结构、电学和光学性质。结果表明制备的薄膜具有较高的结晶质量和较好的电学性能,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别达到4.04×1018cm-3、1.35cm2V-1s-1和1.15Ωcm。X光电子能谱(XPS)分析显示在p型ZnO薄膜里存在N-In键和N-Zn键,表明In掺杂可以促进N在ZnO薄膜的固溶,有利于N元素在ZnO薄膜内形成受主能级。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内有很高的透射率,最高可达90%。其常温下的禁带宽度为3.2eV,相对本征ZnO的禁带宽度略有减小。
- 南貌阮海波秦国平孔春阳
- 关键词：P型ZNO透射谱
