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国家重点基础研究发展计划(2007CB616906): 作品数：21 被引量：22H指数：3; 相关作者：赵勇杨烨王文涛蒲明华李果更多>>; 相关机构：西南交通大学新南威尔士大学西北有色金属研究院更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>; 相关领域：理学电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

氧含量对Pr1.85Ce0.15CuO4-x和Pr2CuO4-x结构、磁性和超导电性的影响: 2010年; 通过固相反应法制备了电子型Pr1.85Ce0.15CuO4-x和其母体Pr2CuO4-x。X射线衍射表明:制备的样品具有单相结构,杂相比较少。磁测量的结果表明:在Pr1.85Ce0.15CuO4-x中,0.05≤x≤0.20(质量分数,%,下同)时具有超导电性,起始转变温度Tc=24.5K。而Pr2CuO4-x仅仅通过调节氧含量不能实现超导。并且通过氧含量对Pr1.85Ce0.15CuO4-x和Pr2CuO4-x结构、磁性的不同影响的对比研究发现,在Pr1.85Ce0.15CuO4-x中通过调节氧含量实现超导的原因是引入自由载流子。Pr2CuO4-x不能实现超导的原因是氧空位出现在不同的氧位上,并对相关机制进行了探讨。; 王法社赵勇; 关键词：氧含量磁性超导电性氧位射表

A novel method to calculate the thrust of linear induction motor based on instantaneous current value被引量：2: 2012年; Because of the end effect, a linear induction motor (LIM) runs in an asymmetrical state even though the winding of each phase is symmetric. Based on the basic principle of the LIM, a new approach was proposed to calcu-late the thrust of the LIM using the instantaneous current value. A three-phase LIM model with 12 slots and a single-layer winding was designed to validate this method. The experiments show that when the current is small, the calculated results basically agree with the experiments. The agreement becomes worse with the increase of the current because of the saturation of the primary iron core. The proposed formula is suitable when the iron core of the LIM primary is in an unsaturated state.; Jiaqing MAYunpeng ZHUJing JIANG; 关键词：直线感应电机电流值推力单层绕组

掺杂对涂层超导体CeO_2缓冲层薄膜临界厚度影响的理论计算: 2009年; 采用第一性原理平面波赝势法计算了稀土元素掺杂超导带材缓冲层CeO2的晶体结构、电子能带、态密度和弹性常数,研究掺杂使CeO2缓冲层临界厚度增加的规律及其机理.在计算范围内,发现掺杂以后的晶胞体积V和弹性常数E*的变化主要取决于系统的电子数增加,拟合得到了弹性常数E*和系统电子数增量Δne之间的变化关系.分析表明,掺入Sm,Gd和Dy可以使Ce1-xRExO2缓冲层薄膜的临界厚度分别提高22%,43%和33%.; 潘敏黄整麻焕锋强伟荣韦联福王龙赵勇; 关键词：CEO2 第一性原理

高分子辅助化学溶液沉积制备涂层导体CeO_2缓冲层: 2009年; 分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层。结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹。比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1μm×1μm的范围内仅为2nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层。; 李果蒲明华孙瑞萍王文涛张欣武伟雷鸣张红杨烨程翠华赵勇

涂层导体DyBiO_3(DBO)缓冲层的低温制备被引量：3: 2009年; 通过685～750℃之间进行低温成相，在LaAlO3（LAO）单晶基底上沉积得到了有较大应用前景的涂层导体DyBiO3（DBO）缓冲层。结果表明：所得的缓冲层C轴取向良好，致密、平整、无裂纹。当温度大于750℃时，DBO表面开始变得粗糙。沉积在DBO缓冲层上的YBCO超导层C轴织构的样品，样品表面平整均匀，超导转变温度在90K左右，临界电流密度大于1MA／cm^2。从工业应用角度讲，低温的缓冲层制备具有极大的经济优势，应用前景更为广泛。; 孙瑞萍李果蒲明华王文涛赵勇; 关键词：涂层导体

化学溶液沉积制备涂层导体Eu_(0.3)Ce_(0.7)O_(1.85-x)单一缓冲层: 2009年; 采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上沉积了厚度大于160nm的Eu0.3Ce0.7O1.85-x(ECO)单一缓冲层。制得的ECO缓冲层双轴织构良好,表面平整、无裂纹。同时,Eu的掺杂提高了CeO2单一缓冲层薄膜的临界厚度。在沉积了ECO缓冲层的NiW基带上外延生长的YBCO薄膜,超导零电阻转变温度Tc0=86K,临界电流密度达到Jc(0T,77K)=0.4MA/cm2。本研究提供了一种操作简单、成本低廉、性能优良的制备涂层导体单一缓冲层的方法。; 孙瑞萍李果蒲明华王文涛张欣武伟杨烨赵勇; 关键词：EU掺杂

La1-x/2Pr1-x/2SrxCuO4＋y的正常态电阻反常与超导电性: 2008年; La1-x/2Pr1-x/2SrxCuOy(LPSCO)多晶样品采用传统的固相反应法制备。X射线衍射表明:LPSCO具有典型的空穴搀杂的T-214相的结构。磁化率测量显示:Sr掺杂在0.05≤x≤0.30范围内具有超导转变;Tc随x的增大呈抛物线形式变化,且在x=0.18时达到最大值28K。电阻的测量显示:随掺杂量的增大,系统呈现从绝缘到半导体,最后到金属的导电行为的变化;在欠掺杂区,正常态电阻温度关系符合ρ(T)=ρ0+αT-ClnT;而在过掺杂区,对数项消失。本文从替代所引起的晶体结构和载流子特性变化解释了Sr掺杂样品的输运行为和超导特性。; 王法社杨烨陈永亮张勇C．H．Cheng赵勇; 关键词：电阻率超导电性

Al和C共掺对MgB2超导电性的影响: 2008年; 研究了在MgB2超导体中,Al、C以及这两种元素共同掺杂时对样品的超导转变温度、不可逆场、以及临界电流的影响。研究发现,当掺杂电子量相同时,Al掺杂比C掺杂对超导电性有更强的抑制作用。当Al、C共掺时,对于相同的掺C量,Al的掺杂作用减缓C掺杂对Tc的抑制作用。同时C掺杂可以有效的提高MgB2超导体在高场下的临界电流密度,Al,C共掺和单独掺C的两组样品中掺C都有相似的行为特性。; 杨烨周杰俤张勇C．H．Cheng赵勇; 关键词：MGB2 临界电流密度超导电性

直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响被引量：5: 2012年; 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层(背接触层)。; 黄涛闫勇黄稳张艳霞晏传鹏刘连张勇赵勇余洲; 关键词：MO薄膜直流磁控溅射电阻率

溅射气氛对RF反应磁控溅射制备ZnO薄膜微结构及光致发光特性的影响被引量：5: 2010年; 用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。测量结果显示,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,具有沿c轴的择优取向;溅射压强P=0.6Pa,氩氧比Ar/O2=20/5.5sccm时,（002）晶面衍射峰强度和平均晶粒尺寸较大,（O02）XRD峰半峰全宽（FWHM）最小,光致发光紫外峰强度最强。; 祐卫国张勇李璟杨峰CHENG C H赵勇; 关键词：ZNO薄膜射频反应磁控溅射溅射压强光致发光

国家重点基础研究发展计划(2007CB616906)

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