国家科技重大专项(2011ZX02503)
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 相关作者：翟媛张笑瑜郝明丽胡锦更多>>
- 相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司湖南大学中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项湖南省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 应用于WLAN的SiGe射频功率放大器的设计被引量：3
- 2012年
- 采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段范围内的AB类射频功率放大器.该放大器采用三级放大结构,偏置电路采用电流镜形式的自适应偏置控制电路,具有温度补偿和线性化作用.后仿真结果显示:1dB压缩点输出功率高达27.73dBm,功率增益为25.67dB,电路的S参数在2.4GHz频段内,输出匹配S22小于-10dB,S12小于-60dB.
- 胡锦翟媛郝明丽张笑瑜
- 关键词：射频功率放大器SIGE
- 超级结深沟槽填充工艺及其对器件性能的影响被引量：3
- 2014年
- 基于沟槽型超级结MOSFET,研究了硅外延工艺、多晶硅填充工艺和非晶硅填充工艺对沟槽填充效果的影响,以及不同的沟槽填充效果对器件的漏电流的影响。
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- 关键词：功率器件
- 深沟槽填充超结的电荷平衡对器件性能的影响
- 2016年
- 基于沟槽型超结器件结构,研究了超结MOSFET器件的P型杂质的分布对器件性能包括反向击穿电压和雪崩能量的影响。结果表明,通过P型杂质浓度和杂质浓度分布的优化,可以改善器件击穿电压的一致性,提高器件的雪崩击穿能量并改善其均匀性,从而给出了一种提高器件雪崩能量及改善雪崩能量一致性的方案。
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- 激光退火工艺在绝缘栅双极型晶体管的应用
- 2014年
- 激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。基于一种国产激光退火设备,对激光退火工艺的关键参数如激活率、激活深度与工艺条件之间的关系进行了研究。结果表明:双激光具有比单激光更高的激活率。在使用双激光时,B的激活率与注入剂量有一定的关联,最高激活率可接近80%;磷的激活率也与剂量有一定的关系,最高可以达到100%。对激光退火处理样品进行TEM观察发现,再结晶后的激活区没有晶格缺陷。对采用激光退火工艺的IGBT器件性能分析表明,采用该工艺的器件性能参数基本达到国外竞争对手同类产品的同等水平。
- 雷海波肖胜安童宇峰
- 关键词：激光退火IGBT
