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非化学计量比铌酸钾锂晶体的光谱特征被引量：1: 2007年; 用顶部籽晶法生长了一批不同组成的铌酸钾锂晶体。利用近红外cw：Ti-sapphire激光研究了三种组成的经过精细抛光的晶体样品的二次谐波性质，结果表明晶体的二次谐波效应与晶体组成密切相关，Li含量越高的样品倍频效率越高。利用红外Raman光谱技术调查了晶体非线性晶格振动特征，分析了晶体中组分离子浓度对晶体红外Raman光谱特征的影响，探讨了组分离子对晶体二次谐波性质影响的原因。结果表明，晶体中位于C格位的Li离子浓度对晶体Raman光谱产生了强烈的影响，低Li含量晶体中[-NbO6]^6-八面体所对应的3个Raman特征光谱线没有峰发生分裂；当晶体中Li离子浓度增加时，屿所对应的Raman峰有所加宽，垅振动模式出现分裂峰，并在100-400cm^-1范围出现小峰数量增多；当Li离子浓度接近铁电相边界时，[-NbO6]^6-八面体结构接近解体，屿所对应的Raman峰分裂成3个峰，v1和v2振动模式发生部分分裂，在100～400cm^-1范围小峰更为突出。这些影响的本质在于晶体中Li含量的提高导致晶体中[NbO6]^6-八面体畸变程度加大，与晶体非线性光学性质相一致。; 万尤宝袁国祥吴宇容杨培志辛三法朱海滨黄学军杨辉

掺杂钨酸铅晶体闪烁发光光谱研究: 2009年; 利用改进的晶体生长设备和工艺提高了PbWO4闪烁晶体的光产额。通过对生长获得的PbW04、退火PbWO4和BaR：PbWO4晶体的透过光谱，衰减时间和光产额等闪烁性质的研究，发现晶体退火和掺杂技术特别是阴离子掺杂技术能够显著提高晶体的闪烁发光性能。其中晶体掺杂全面提高了晶体的透过光谱强度，但是退火的影响较复杂。高温退火改善了PbWO4晶体在360nm以上波段的透过光谱的透过率，但是在320~360nm波段其透过率反而降低。这些现象与晶体中缺陷在可见光波段产生的特征吸收有关。晶体的良好退火和掺杂提高了晶体的光产额，其中BaFz：PbWO4掺杂晶体室温闪烁发光强度达到65p．e．·（MeV）-1，接近PET的使用要求。这种提高与晶体F离子掺杂引发晶体[WU4]2-四面体基团畸变有关，F-离子进入该四面体产生了新的发光中心。; 万尤宝吴宇容张建新杨培志肖林荣杨辉; 关键词：闪烁晶体温度梯度法光产额

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国家自然科学基金(69578025)