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中央高校基本科研业务费专项资金(2009ZZ0017)
作品数:
1
被引量:5
H指数:1
相关作者:
李国强
杨慧
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相关机构:
华南理工大学
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发文基金:
中央高校基本科研业务费专项资金
广东省重大科技专项
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机构
1篇
华南理工大学
作者
1篇
杨慧
1篇
李国强
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1篇
半导体光电
年份
1篇
2012
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Si衬底氮化物LED器件的研究进展
被引量:5
2012年
通过对比分析目前氮化物LED的三种主要衬底即蓝宝石、SiC与Si的技术特点,指出了发展Si衬底LED的重要意义。详细介绍了目前国内外Si衬底LED的研究现状,解析了在Si衬底上制备LED的多种新型技术,主要包括以提高薄膜沉积质量为目的的缓冲层技术、激光脱离技术、图案掩模技术、阳极氧化铝技术,以及以提高光提取率为宗旨的镜面结构技术和量子阱/量子点技术。这些新型技术与传统的MOCVD,HVPE,MBE等制备技术相结合,在很大程度上克服了Si衬底的不足,使Si衬底上氮化物LED展现出广阔的发展前景。
李国强
杨慧
关键词:
LED
SI衬底
缓冲层
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