教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-25-0290)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
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- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 快速热压法制备掺杂纳米SiC的MgB_2超导体
- 2009年
- 采用快速热压烧结技术,在流动的高纯氩气保护氛围下,成功地制备出致密MgB2块材.系统地介绍了快速热压技术烧结MgB2块材的工艺,找出了烧结温度、保温时间、原料配比等最佳工艺参数;讨论了SiC纳米相的掺杂对MgB2块体的影响,包括微观显微组织、物相分析、临界电流密度(Jc)等.实验表明,在快速热压条件下,950℃保温30min,随后炉冷,可以制备出理想的MgB2块材,质量分数为5%SiC的掺杂可以极大地提高MgB2的超导性能.测试温度在20K以下,在自场下Jc可达到106A/cm2以上;在5K下,当外加磁场增加到7T时,Jc缓慢下降,但仍在105A/cm2以上,使其实用性得到更进一步改善.
- 曲波薛翠平孙旭东
- 关键词：MGB2超导体SIC掺杂
- (Gd1-x，Prx)2O2S闪烁陶瓷粉体的合成及光致发光研究被引量：3
- 2008年
- 以Gd2O3、Pr6O11和H2SO4为原料,通过H2还原法合成不同浓度Pr3+离子掺杂的(Gd1-x,Prx)2O2S闪烁陶瓷粉体。利用DTA-TG-DTG、FT-IR、XRD、SEM、光致发光(PL)光谱等测试手段对合惩的粉体进行了表征。研究表明,将Gd2O3和Pr6O11与稀H2SO4在100℃加热搅拌,制备出2Gd2O3.(Gd1-x,Prx)2(SO4)3.12 H2O前躯体。前驱体在750℃煅烧2h可获得(Gd1-x,Prx)2O2SO4粉体,该粉体在H2气氛下750℃还原1h可以转化为具有疏松和多孔蜂窝状结构的单相(Gd1-x,Prx)2O2S闪烁陶瓷粉体。(Gd1-x,Prx)2O2S粉体在307nm的紫外光激发下呈现绿光发射,主发射峰位于511nm,归属于Pr3+离子的3P0-3H4跃迁。发光强度随Pr3+离子浓度的变化而变化,当Pr3+离子的摩尔分数为1.000%时,粉体具有最高的发光强度。
- 连景宝李晓东高铁刘志刚李继光孙旭东
- 关键词：闪烁陶瓷光致发光
