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国家重点实验室开放基金(2007DA10512711211)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：胡宝山陈四国齐学强张骞魏子栋更多>>
相关机构：重庆大学更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氧化亚铜
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光催化
  • 1篇光催化活性
  • 1篇CU2O
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备
  • 1篇催化
  • 1篇催化活性

机构

  • 1篇重庆大学

作者

  • 1篇丁炜
  • 1篇刘灿
  • 1篇魏子栋
  • 1篇张骞
  • 1篇齐学强
  • 1篇陈四国
  • 1篇胡宝山

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
磁控溅射制备Cu2O和Cu2O/TiO2复合膜及其光催化活性被引量：4
2012年
采用直流反应磁控溅射的方法在普通玻璃上沉积得到Cu2O、TiO2和Cu2O/TiO2复合薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对薄膜的晶体结构、表面形态和薄膜元素组成进行了分析.XRD结果表明,当反应溅射时间为5 min时,Cu2O薄膜由单一的(111)晶面组成;反应时间的延长促进了Cu2O(110)和(220)晶面的生长.通过计算得出Cu2O(111)更有利于对O2的吸附.进一步使用氙灯作为光源,用薄膜对亚甲基蓝(MB)的降解率来表征光催化活性.结果表明,Cu2O/TiO2复合薄膜的光催化效果随着Cu2O含量的增加升高而后降低,当Cu2O含量为2.6mol%时,光催化活性最高.光催化效率的提高主要归因于Cu2O的加入引起光生电子-空穴的分离,而过量的Cu2O会延长光生电子迁移到Cu2O/TiO2界面和空穴迁移至表面所需要的时间,使电子和空穴复合的几率增大,从而降低了量子效率.
刘灿魏子栋张骞胡宝山齐学强陈四国丁炜
关键词：磁控溅射氧化亚铜光催化
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