您的位置： 专家智库 > >

国家自然科学基金(60577041)

作品数：12 被引量：16H指数：3
相关作者：张志林蒋雪茵朱文清鲁富翰白钰更多>>
相关机构：上海大学中国矿业大学南通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国矿业大学青年科技基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 7篇发光
  • 5篇发光器件
  • 4篇电致发光
  • 4篇迁移率
  • 3篇有机薄膜晶体...
  • 3篇有机电致发光
  • 3篇有机发光
  • 3篇有机发光器件
  • 3篇双绝缘层
  • 3篇迁移
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体管
  • 3篇绝缘层
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 2篇低压
  • 2篇电极
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇电子传输
  • 2篇修饰

机构

  • 11篇上海大学
  • 3篇中国矿业大学
  • 1篇南通大学

作者

  • 11篇蒋雪茵
  • 11篇张志林
  • 7篇朱文清
  • 4篇鲁富翰
  • 3篇委福祥
  • 3篇白钰
  • 3篇方亮
  • 3篇徐维
  • 2篇刘向
  • 2篇陈玲
  • 2篇丁邦东
  • 1篇哈克
  • 1篇曹进
  • 1篇许少鸿

传媒

  • 4篇光电子．激光
  • 3篇Journa...
  • 2篇半导体技术
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 9篇2008
共 12 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
蒽衍生物的合成及其电致发光特性被引量：5
2008年
通过改进传统的方法合成了三种9,10-二取代蒽衍生物蓝色荧光材料。比较了用这三种材料作发光层所制得有机电致发光器件的光谱特性、电流-电压-亮度关系,并探讨了三种蒽衍生物材料在有机电致发光器件中的应用。研究结果表明,采用改进的方法合成的上述蓝色荧光材料具有原料易得、产物得率高、所制备器件性能好等特点。
丁邦东朱文清蒋雪茵张志林
关键词：蒽衍生物有机电致发光
载流子平衡的低压高效有机白光器件被引量：2
2010年
研究了结构为ITO/m-MTDATA:x%4F-TCNQ/NPB/TBADN:EBDP:DCJTB/Bphen:Liq/LiF/Al的有机白光电致发光器件(WOLED)。分别在ITO与NPB间加入高迁移率的m-MTDATA:4F-TCNQ来增强器件的空穴注入,在阴极和发光层间加入高迁移率的Bphen:Liq层增强器件的电子注入,降低驱动电压,提高器件效率。同时,由于注入的电子和空穴数量偏离平衡,器件的效率也会受到影响。实验中,通过调节4F-TCNQ的掺杂浓度来调控空穴的注入和传输,使载流子达到高度平衡。器件的最大电流效率和流明效率分别达到了9.3cd/A和4.6 lm/W。
委福祥方亮蒋雪茵张志林
关键词：载流子低压
具有阶梯势垒的低压有机电致发光器件被引量：2
2008年
在2-t-butyl-9,10-di-(2-naphthyl)anthracene(TBADN)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)界面及TBADN/4’7-diphyenyl-1,10-phenanthroline(Bphen)界面上插入Gaq薄膜作为阶梯势垒,使有机电致发光器件的电子注入得到改善。由于Gaq(2.9 eV)的LUMO(分子最低空余轨道能级)位于Alq3(3.1 eV)(或Bphen(3.0eV))的LUMO和TBADN的LUMO(2.8 eV)之间,形成了从Alq3(或Bphen)经Gaq到TBADN的势垒阶梯,提高了电子注入,进而提高了器件效率。实验表明:与没有阶梯势垒的器件相比,无论是单一电子器件还是完整器件,在相同电流密度下,具有阶梯势垒的器件的电压都有所下降。在电流密度为20 mA/cm2时,当电子传输层为Alq3时,单一电子器件的电压从7.9 V降到4.9 V,完整器件的电压从7 V降到5.8 V;当电子传输层为Bphen时,单一电子器件的电压从4.2 V降到3.1 V,完整器件的电压从6.2 V降到5.1 V。在电流密度为200mA/cm2,Alq3为电子传输层时,亮度从1 992 cd/m2升到3 281 cd/m2,最高亮度达到3 420 cd/m2,Bphen为电子传输层时,亮度从1745 cd/m2升到2876 cd/m2,最高亮度达到3176 cd/m2。本文运用能级隧穿理论对上述现象进行了解释。
徐维鲁富翰蒋雪茵张志林朱文清
关键词：有机薄膜电致发光低压
9，10-二[3，5-二(苯基)苯基]蒽的合成新方法
2008年
9,10-二[3,5-二(苯基)苯基]蒽是一种性能较好的小分子蓝色有机电致发光材料。通过改进的方法合成其重要的中间体3,5-二苯基溴苯,经过锂卤交换,采用还原蒽醌与相应芳基锂的加成物得到目标产物。研究了用所合成的材料作发光层所制得有机电致发光器件的光谱特性及其电流、电压、亮度等。结果表明通过改进的方法合成上述蓝色荧光材料具有原料易得、反应步骤少、产物得率较高等特点。
丁邦东朱文清蒋雪茵张志林
关键词：有机电致发光
具有新型电子传输层的有机薄膜电致发光器件(英文)被引量：1
2008年
将8-hydroxy-quinolinato lithium(Liq)掺入4’7-diphyenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为n型电子传输层(ETL),将tet-rafluro-tetracyano-quinodimethane(F4-TCNQ)掺入4,4′,4″-tris(3-methylphenylphenylamono)triphenylamine(m-MTDATA)作为p型空穴传输层(HTL),制作了p-i-n结构有机电致发光器件.为了检验传输层传导率的改善情况,制备了一系列单一空穴器件和单一电子器件.在引入BPhen:33wt%Liq作为ETL后,x%F4-TCNQ:m-MTDATA作为HTL后,器件的电流和功率效率明显改善.与控制器件(未掺杂)相比,性能最佳的掺杂器件的电流及功率效率分别提高了51%和89%,电压下降了29%.这是由于传输层传导能力的提高使得载流子在发光区域达到有效平衡.
徐维鲁富翰蒋雪茵张志林朱文清徐贵
关键词：P-I-NN型掺杂电流效率电子传输
依发光层顺序和厚度调节的多发光层白色有机发光器件被引量：1
2008年
多层结构器件中发光层顺序及厚度对光谱影响很大。文章以RBG(红蓝绿)为基色,制备了具有不同发光层组合次序及厚度的系列白色有机电致发光器件。器件结构为ITO/CuPc(12nm)/NPB(50nm)/EML/LiF(1nm)/Al(100nm)。使用的蓝色发光材料为2-t-butyl-9,10-di-(2-naphthyl)anthracene(TBADN),掺杂剂为p-bis(p-N,N-diphenyl-amono-styryl)benzene(DSA-Ph),绿色发光材料为tris-[8-hydroxyquino-line]aluminum(Alq3),掺杂剂为C545,红色发光材料为tris-[8-hydroxyquinoline]aluminum(Alq3),掺杂剂为4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)。通过调节各发光层的顺序和厚度,在200mA.cm-2时,得到了电流效率为5.60cd.A-1,色坐标为(0.34,0.34)的性能稳定的白光器件。当电流密度为400mA.cm-2时,最大亮度达到了20700cd.m-2。根据激子产生及扩散理论对实验结果进行了分析,建立了发光光谱与各发光层的发光效率、各层厚度及激子扩散层长度之间的关系方程,并以其计算了具有不同红层厚度的RBG结构的光谱的红蓝强度比。计算结果表明实验结果与理论相符。
徐维鲁富翰曹进朱文清蒋雪茵张志林许少鸿
关键词：有机发光二极管白色有机发光器件
基于新型共基质电子传输层的有机发光器件
2008年
研究了Liq:Bphen混合层的电子传输特性。采用该混合层作为共基质电子传输层制备了结构为[ITO/m-MTDATA/NPB/Alq3/Liq(33%)∶Bphen/LiF/Al]的有机发光器件,基于共基质电子传输层的器件驱动电压比传统器件降低了13%而效率却提高了21%。研究表明通过优化混合层的掺杂浓度,可以显著提高电子传输层的导电率,降低驱动电压,从而提高器件的效率。
委福祥方亮蒋雪茵张志林
关键词：有机发光器件电子传输
Estimation of electron mobility of n-doped 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline using space-charge-limited currents
2009年
The electron mobilities of 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen) doped 8-hydroxyquinolinatolithium(Liq) at various thicknesses (50-300nm) have been estimated by using space-charge-limited current measurements.It is observed that the electron mobility of 33 wt% Liq doped BPhen approaches its true value when the thickness is more than 200nm.The electron mobility of 33 wt% Liq doped BPhen at 300 nm is found to be～5.2×10-3 cm2/(V·s)(at 0.3 MV/cm) with weak dependence on electric field,which is about one order of magnitude higher than that of pristine BPhen(3.4×10-4 cm2/(V·s)) measured by SCLC.For the typical thickness of organic light-emitting devices,the electron mobility of doped BPhen is also investigated.
希扎尔.乌尔.哈克鲁富翰蒋雪茵张志林张小文张良李俊
关键词：电子迁移率N掺杂电流测量
具有双绝缘层的有机薄膜晶体管被引量：3
2008年
为了提高SiO2单绝缘层器件的性能,在SiO2绝缘层的表面用旋涂的方法制备一层大约50 nm厚度的PMMA。实验结果表明用无机/有机双绝缘层可以有效的提高器件的性能同时降低器件的漏电流。计算出了载流子迁移率和开关电流比,基于PMMA/SiO2双绝缘层器件的载流子迁移率和开关电流比分别是4.0×10-3cm2/Vs和104。
刘向白钰陈玲朱文清蒋雪茵张志林
关键词：有机薄膜晶体管迁移率PMMA
具有无机有机双绝缘层和修饰电极的薄膜晶体管被引量：3
2008年
研究了有机薄膜晶体管器件。器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的。实验表明采用一种硅烷耦合剂-十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰SiO2可以有效地降低栅绝缘层的表面能从而明显提高了器件的性能。器件的场效应迁移率提高了2.5倍、阈值电压降低了3 V、开关电流比从103增加到104。同时我们采用MoO3修饰铝作为器件的源漏电极,形成MoO3/Al双层电极结构。实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流Ids。结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层的及MoO3/Al电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能。
白钰刘向陈玲朱文清蒋雪茵张志林
关键词：有机薄膜晶体管双绝缘层双层电极迁移率
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0