重庆市教委科研基金(KJ070804)
- 作品数：12 被引量：32H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学化学工程自动化与计算机技术更多>>
- 退火处理对Ti-WO_3薄膜的结构和气敏特性的影响被引量：4
- 2008年
- 用X射线衍射和透射电镜表征了直流磁控溅射法制得的Ti-WO3薄膜的晶型、晶格常数、粒径等。研究了退火对Ti-WO3薄膜气敏性质和微结构的影响,找出了最佳退火温度和工作温度;并对机理进行了分析。结果表明:450℃退火的薄膜的气敏效应很好,最佳工作温度在150℃左右;
- 张召涛杨晓红马勇孙彩芹闫勇彦朱绍平
- 关键词：直流磁控溅射退火气敏特性
- ZnO薄膜的制备及发光研究进展被引量：2
- 2010年
- ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有优良的光电性能,在光电器件、压电器件、表面声波器件等领域具有广泛的应用前景。介绍了ZnO薄膜的制备方法及影响薄膜光致发光效果的不同因素。
- 朱绍平马勇方成林万勇
- 关键词：ZNO薄膜光致发光
- WO_3纳米材料气敏性能研究进展被引量：3
- 2012年
- 作为n型半导体的WO3是一种优良的气敏材料,对NOX、H2S、H2、CH4、C2H5OH、CO、NH3等气体都有良好的敏感性。目前WO3气敏材料已经基本满足社会应用的要求,但有些指标还有待改善。本文综述了WO3纳米材料气敏性能的研究进展,介绍了n型半导体WO3纳米材料的气敏传感机制,以及通过形貌控制等手段提高气敏性能、掺杂WO3纳米材料气敏性能及其复合气敏材料气敏性能的研究进展情况。作者认为WO3纳米材料在提高灵敏度、降低工作温度,特别是提高选择性和稳定性上还有很大的研究空间,并且还需克服制备的高成本,探索简易而且重复性强的制备工艺,以便更早地应用于商业化生产,为社会生产生活服务。
- 张学忠杨晓红胡亚萍邓泉
- 关键词：WO3纳米材料气敏掺杂
- 水热法制备ZnO∶Sb粉体结构及光学性质被引量：3
- 2012年
- 采用水热法在石英衬底上以ZnCl2和SbCl3水溶液为源溶液,在较低温度下制备了Sb掺杂的ZnO粉体。采用X射线衍射(XRD)和EDS能谱仪对所生长ZnO粉体的晶体结构和元素成分进行了表征,考察了Sb掺杂对ZnO微观结构和发光性能的影响。结果表明:Sb掺杂的ZnO粉体呈六方纤锌矿结构。室温光致发光(PL)谱检测显示,Sb掺杂ZnO粉体具有很强的近带边紫外发光峰,而与深能级相关的缺陷发光峰则很弱。
- 张起马勇邓泉
- 关键词：氧化锌水热法光学器件
- 氧化锌点缺陷发光机理的研究进展被引量：2
- 2011年
- 综述氧化锌点缺陷发光机理的研究进展。由于纯氧化锌发光归因于本征点缺陷,理论计算方法可以得到几种本征点缺陷对应的缺陷能级,通过掺杂不同元素和改变氧分压、溅射功率、衬底温度和退火温度等制备条件,观察氧化锌薄膜光致发光的变化,进而推测氧化锌薄膜发光机理,得到了不同的机理解释。
- 邓泉张学忠
- 关键词：氧化锌点缺陷光致发光
- Sb掺杂ZnO纳米材料的研究进展
- 2009年
- ZnO纳米材料是一种新型的直接带隙半导体材料,其禁带宽度为3.37eV。Sb掺杂ZnO纳米材料在光电、气敏效应、p型导电等方面具有优良的性质。介绍Sb掺杂ZnO纳米材料在这几方面的最新研究进展。
- 闫勇彦马勇朱绍平
- 关键词：ZNO薄膜P型ZNO
- 金属氧化物半导体纳米气敏材料研究进展被引量：1
- 2011年
- 由于社会需求紧迫,金属氧化物半导体纳米气敏材料成为当今研究的热点。本文综述了从材料元素的组成、形貌及尺寸的控制以及制备方法等方面来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能的研究进展。
- 张学忠
- 关键词：氧化物半导体气敏材料
- 掺杂WO_3基材料的研究进展被引量：3
- 2011年
- 结合近年来国内外相关文献,综述了WO3基材料的掺杂改性研究进展,主要从掺杂元素的种类展开探讨,并对其发展趋势进行了简要分析。
- 胡亚萍杨晓红张学忠马勇
- 关键词：掺杂WO3
- WO_3纳米薄膜气敏性能研究进展被引量：1
- 2010年
- 三氧化钨(WO3)纳米薄膜是一种典型的气敏材料,如何提高薄膜的气敏性能一直是薄膜气敏传感器材料领域的研究重点.本文结合近年来国内外研究成果,综述了最近几年纳米WO3薄膜的研究现状和进展,阐述了改善WO3薄膜气敏性能的重要方法.
- 方成林马勇万勇
- 关键词：气敏性能微细结构催化剂双层膜
- 氧浓度对MS法制备的ZnO:Sb薄膜的光学性能影响被引量：2
- 2010年
- 在玻璃衬底上以Zn-Sb合金靶为靶材,采用射频反应磁控溅射法制备出具有良好C轴取向的ZnO:Sb薄膜。用X射线衍射仪、分光光度计和荧光发光光度计等测试手段分析了Sb掺杂ZnO薄膜的晶体结构和光学性质。薄膜在N2气中550℃退火后的X射线衍射谱表明:Sb掺杂ZnO薄膜主要沿ZnO的(002)方向生长,没有检测到其它杂质相的生成。退火前,薄膜的光学带隙随氧浓度的增大而增大,退火后薄膜光学带隙减少。薄膜的室温光致发光谱中有较强的蓝光发射峰,并对蓝光的发射机理作了分析:蓝光(487 nm左右)的发射与锌填隙(Zn i)和锌空位(VZn)缺陷能级有关,还与Sb3+离子提供了相应的蓝光中心有关;蓝光峰(436 nm左右)的发射与锌填隙缺陷能级和氧空位(VO)形成的浅施主能级有关,这些蓝光峰的出现对于开发出单色蓝光发光器件有重要意义。
- 朱绍平马勇房燕张爱民
- 关键词：射频磁控溅射透射率光致发光氧浓度
