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江苏省自然科学基金(BK2011059)

作品数：6 被引量：8H指数：2
相关作者：刘斯扬孙伟锋钱钦松于冰王永平更多>>
相关机构：东南大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇热阻
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电热
  • 1篇电热耦合
  • 1篇动态应力
  • 1篇应力
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元法
  • 1篇载流子
  • 1篇瞬态
  • 1篇热容
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子退化
  • 1篇温度
  • 1篇耐压
  • 1篇耐压模型
  • 1篇耐压特性
  • 1篇结温
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率

机构

  • 6篇东南大学

作者

  • 6篇刘斯扬
  • 5篇孙伟锋
  • 3篇钱钦松
  • 1篇崔其晖
  • 1篇徐申
  • 1篇朱奎英
  • 1篇霍昌隆
  • 1篇张春伟
  • 1篇陈健
  • 1篇万维俊
  • 1篇张頔
  • 1篇王永平
  • 1篇于冰

传媒

  • 2篇东南大学学报...
  • 1篇电子科技
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
SOI双槽隔离结构的耐压特性
2012年
理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.
陈健朱奎英刘斯扬钱钦松孙伟锋
关键词：耐压模型
基于PDP扫描驱动芯片的LQFP封装热特性研究被引量：2
2013年
研究了LQFP封装的96路等离子平板显示(PDP)扫描驱动芯片的封装热特性,利用有限元法对所建立的封装模型进行数值求解,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的可靠性与准确性。研究表明,在集成电路封装设计中,增大散热基板面积、优化引线框架、提高封装热导率,对于散热性能的提高非常有效,而在外围设计中,增大印制电路板(PCB)有效覆铜面积、增加PCB有效过孔数、在芯片顶部添加散热片、加大空气流速都可使芯片散热能力显著增强。
于冰张頔刘斯扬孙伟锋
关键词：热特性有限元法
一种测试功率MOSFET热阻的新方法被引量：2
2014年
阐述了一种测试功率MOSFET热阻的新方法。该方法选取漏源电流作为温度敏感参数,在相同漏源电压和栅源电压幅度下,当栅源电压条件由直流形式变为脉冲形式时,漏源电流是有差异的,这一差异是由结温的不同造成的。而脉冲栅源电压下环境温度的调整可以用来模拟直流条件下的结温,由此可以测得器件在直流条件下的热阻。该方法具有精度高、实现容易和操作方便等优点,可作为功率MOS器件结温和热阻的有效测试方法。
卫能刘斯扬万维俊孙伟锋
关键词：功率场效应晶体管结温热阻
动态应力下功率n-LDMOS器件热载流子退化恢复效应被引量：2
2013年
针对功率n-LDMOS器件在动态应力条件下的热载流子退化恢复效应进行了实验和理论研究.电荷泵实验测试和器件专用计算机辅助软件的仿真分析结果表明,在施加不同的动态应力条件下,功率n-LDMOS器件存在2种主要的热载流子退化机理,即鸟嘴区域的热空穴注入和沟道区域的界面态产生,均有明显的退化恢复效应.对功率n-LDMOS器件施加2个连续3 600 s的不同应力,观察每个阶段结束时刻的CP电流曲线,发现该器件在应力变换期间确实发生了热空穴的退陷阱效应.然后,对功率n-LDMOS器件施加3个连续3 600 s的不同应力,观察每个阶段结束时刻的CP电流曲线,发现器件处于关断阶段时,已产生的界面态存在一定程度的复合.
徐申张春伟刘斯扬王永平孙伟锋
关键词：热载流子电荷泵
700V高压LDMOS器件瞬态失效机理研究
2012年
详细分析了700V横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件瞬态失效机理的特性。研究表明触发器件寄生晶体管开启的失效功率不仅与器件内部温度有关,同时也与电场分布有关。器件温度影响寄生阱电阻和衬底电流的大小,而电场分布影响器件内部碰撞电离。器件温度与电场分布均与栅脉冲参数有密切关系。为了阐述栅脉冲参数对器件温度的影响,模拟仿真了器件的热响应曲线。
崔其晖刘斯扬钱钦松孙伟锋苏巍张森何乃龙
关键词：温度
SOI-LIGBT器件正偏安全工作区的研究被引量：2
2012年
研究了高压SOI-LIGBT器件的单脉冲正偏安全工作区(FBSOA)的绘制方法。首先,分别提取器件的热阻与热容,并借助热阻抗公式计算器件的瞬态热阻抗,进而根据热阻抗与最大允许功率之间的关系,获得直流与脉冲条件下的正偏安全工作区。同时,还对其二次击穿边界与安全工作区的相互关系做了进一步分析,为更加准确地确定高压LIGBT器件的单脉冲安全工作区提供理论指导。
霍昌隆刘斯扬钱钦松
关键词：热阻热容电热耦合
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