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国家重点基础研究发展计划([2001]51)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：谢家纯施朝淑徐传明刘洪图杨晓杰更多>>
相关机构：中国科学技术大学中国科学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划安徽省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电流-电压特...
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电压特性
  • 1篇氧化锌
  • 1篇P-N结
  • 1篇ZNO
  • 1篇硅

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇徐军
  • 1篇杨晓杰
  • 1篇刘洪图
  • 1篇徐传明
  • 1篇施朝淑
  • 1篇谢家纯

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性被引量：4
2004年
分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似 。
许小亮杨晓杰谢家纯徐传明徐军刘洪图施朝淑
关键词：氧化锌P-N结硅电流-电压特性
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