国家自然科学基金(10475029)
- 作品数：11 被引量：3H指数：1
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- 平板电极间鞘层离子刻蚀速率计算被引量：1
- 2007年
- 利用所建立的鞘层区离子速度分布函数，得出了鞘层区离子平均能量、平均速度、和通量以及高能中性粒子通量和能量通量等数学模型。计算了包括离子和高能中性粒子的刻蚀速率，结果表明与实验数据吻合。各模型都以工艺参数：压力、温度、放电电压以及反应室尺寸等参数表示，为工艺优化提供了理论依据。
- 尹盛王飞李战春王敬义
- 关键词：等离子体鞘层分布函数刻蚀速率
- 冷等离子体中的粉体研究
- 介绍了在冷等离子体中粉体研究的几个重要成果,分析了粉体在两种反应室结构中的运动、沉降时间及刘蚀状况．理论分析和实验结果表明带振动阴极的反应室在粉体表面刻蚀方面比传统阴极结构的反应室要优越得多．研究表明冷等离子体对硅粉纯化...
- 王敬义尹盛赵亮赵伯芳
- 关键词：冷等离子体
- 文献传递
- 等离子体刻蚀提纯冶金硅研究
- 2009年
- 通过自行设计的冷等离子体粉粒纯化系统,将硅粉撒进辉光放电区,以Ar气为反应气体,利用鞘层区域辉光放电的冷等离子体对硅粉料的作用,进行一系列的处理后,硅粉表面形貌平整度明显提高,纯度从98.75%提高到99.56%。在此基础上,设计射频感应放电等离子体的振动倾斜反应室,经实验,将硅粉纯度提高到99.96%,接近太阳级硅的要求,也为该研究未来的发展提供了新的思路和理论参考。
- 尹盛曹伯承赵亮王敬义
- 关键词：冷等离子体刻蚀射频
- 硅粉在冷等离子体中的刻蚀纯化
- 2007年
- 介绍了一种用直流辉光放电产生的冷等离子体对硅粉刻蚀纯化的方法。实验是在氩气氛中进行，结果表明硅粉纯度可由97．66％提高到98．47％。处理后的硅粉还可进行熔化-固化-粉碎再处理，因此是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析，结果显示，在一定的工艺参数下，刻蚀提纯是有效的。这也为粉体表面刻蚀研究提供了新的思路。
- 王家鑫尹盛王飞王敬义
- 关键词：直流冷等离子体
- 直流氩等离子体硅粉纯化工艺的研究被引量：1
- 2007年
- 针对立式反应室、直流氩等离子体情况,建立硅粉的运动学模型,绘出粉粒沉降时间与粉粒粒度和进气速率的关系曲线,并通过该模型选择进气速率为4～10L/s,粉粒的粒度范围为70～100μm。为了提高粉粒沉降过程中纯化效果,建立并分析鞘层模型中与鞘层厚度、鞘层区离子浓度以及鞘层离子平均动能有关的工艺参数的变化关系并提出一套优化选择放电参数的方法。通过该方法优化工艺参数为反应室总压力为4～6Pa,阴极电压为2000V或是更高,鞘层厚度为1.2～2cm。提纯实验结果表明,硅粉的纯度可由99.6%提高到99.95%。
- 王飞尹盛王家鑫陈亮亮
- 关键词：工艺参数鞘层
- 等离子振动反应室的研究
- 通过对振动阴极反应室的研究,针对粉粒与金属阴极接触的问题,提出新的改进设计．采用射频电源感应线圈,振动石英管内部放电的方式进行刻蚀．既有振动阴极反应室的效果,又避免掺入杂质,是一种可行的新反应室设计．
- 赵亮尹盛王敬义赵伯芳
- 文献传递
- 粉尘等离子体的研究
- 2008年
- 在实验和理论上研究了粉粒在等离子体鞘区的沉降、带电、收集和刻蚀。基于粉尘对等离子区电子能量分布函数的影响，讨论了粉尘对等离子体的干扰。有关结果表明等离子体对硅粉的纯化处理有可能应用于将工业硅直接制成太阳级硅。
- 尹盛赵亮李战春王敬义
- 关键词：刻蚀速率
- 硅粉在冷等离子体中的刻蚀纯化
- 介绍了一种用直流辉光放电产生的冷等离子体对硅粉刻蚀纯化的方法．实验是在氩气氛中进行,结果表明硅粉纯度可由97．66%提高到98．47%。处理后的硅粉还可进行熔化—固化—粉碎再处理,因此是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法...
- 王家鑫尹盛王飞王敬义
- 文献传递
- 一种新型反应室的分析与实验
- 2007年
- 对振动阴极上粉体的运动分析表明粉粒在阴极表面停留的时间与阴极表面倾斜角、气体反吹速度和粉粒大小等有关，其停留时间可达10min以上。用这种等离子反应室对硅粉刻蚀，可在硅粉流经反应室一次即可刻蚀200nm的表面厚度。这意味着纯化硅粉的任务能一次完成。实验结果表明新反应室比常规反应室具有很大的优点。
- 尹盛王敬义赵亮赵伯芳
- 直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀
- 2008年
- 在直立平板电极鞘层内进行了硅粉表面刻蚀,使硅粉的纯度由99%提高到99.97%.提出了鞘区中离子和高能氩原子的平均能量和通量方程,建立了包括高能中性粒子贡献的刻蚀速率计算式.实验和计算结果表明总的刻蚀速率可达到2.04×10^15/（cm^2·s）以上.文中还给出了反应区内粉粒沉降时间的方程和粉粒的收集判据.在一般工艺条件下,硅粉在反应区内的沉降时间为5-10 s,这意味着纯化目标必须经约40次循环才能实现.
- 李战春尹盛赵亮王敬义
- 关键词：等离子体沉降时间刻蚀速率
