国家自然科学基金(50505007)
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：机械工程理学更多>>
- InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜导热系数测试
- 2006年
- 采用3ω方法在100～320 K温度范围内测试了不同周期长度的InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜的导热系数.结果表明对于周期性超晶格结构,随着温度的升高,热传导能力下降;比较周期长度不同的超晶格结构的测试结果,发现导热系数会随着周期长度的增大而减小,并在某一周期长度取得最小值,但随着周期长度的进一步增大,导热系数又出现上升趋势,表明在长周期超晶格结构中界面热阻是影响声子传输的主要因素.理论计算表明,对于短周期的超晶格结构,Bragg反射是造成产生最小值的原因之一,由于声子穿透率的下降,造成导热系数随着周期长度的增大而减小.理论与实验研究结果表明,随着周期长度的增大,声子的传输规律由声子的波动性过渡到粒子性,这对实现声子的剪裁具有重要意义,为设计超晶格结构提供理论基础.
- 陈震杨决宽庄苹陈敏华朱健陈云飞
- 关键词：导热系数超晶格
- 轴向电场对纳米管道中溶液离子径向分布的影响
- 2008年
- 用分子动力学模拟的方法,研究了轴向外加电场强度对圆柱形纳米管道中NaCl溶液离子径向密度分布的影响.仿真结果表明,纳米管道两端的外加电场强度增大时,系统的瞬时动能增加.离子获得较大的径向动能就可以克服所在位置势能束缚,运动到使原来浓度峰值减小的径向位置,以保证系统的自由能减小,从而导致离子径向浓度峰值变小.壁面电荷密度越小,离子受到壁面电荷的束缚就越小,这一现象越明显.由于离子的径向分布对电渗流有直接影响,因此这一仿真对电渗流的理论研究和利用外电场实现离子分离的纳流体器件的设计具有重要的参考价值.
- 葛艳艳陈云飞杨决宽仲武王桂明
- 关键词：分子动力学模拟离子分布
- 采用模拟退火算法对皮米磁头进行形状优化被引量：5
- 2007年
- 采用优化设计方法优化一种皮米磁头的形状,能够降低磁头飞高,提高硬盘的存储密度及磁头的飞行稳定性。优化设计以磁头俯仰角和形状尺寸为约束,以磁头在磁盘半径方向内侧、中间、外侧稳定飞行时的飞行高度和侧倾角与优化目标值间的波动最小为优化目标建立优化模型,采用模拟退火算法对优化模型求解。优化结果表明,优化后磁头的飞浮高度可从7nm降低到5nm,而且磁头寻轨时磁头的稳态飞行波动得到明显改善,能够满足工程上对飞高的波动性要求。最后,比较了提高磁盘转速后初始磁头和优化磁头的稳态飞行特性,结果表明磁盘转速对优化结果有影响,改变磁盘转速建立新的优化模型可以得到适合新条件的优化磁头。
- 段传林王玉娟阮海林陈云飞
- 关键词：模拟退火
- 分子间作用力对超低飞高磁头动态飞行特性的影响
- 2013年
- 以飞高为3.5 nm的皮米磁头为研究对象,采用有限控制体法和三阶Runge-Kutta方法,求解磁头的雷诺方程和运动学方程.得出磁头飞跃盘面凸起障碍过程中头盘间分子间作用力对其飞行姿态的影响,并对磁头磁盘界面进行时域分析.模拟结果表明:超低飞高情况下,磁头飞跃盘面凸起障碍时,分子间作用力破坏了磁头动态飞行稳定性,它是引起头盘界面失效的一个重要因素.在此基础上,提出了降低分子间作用力的方法,如合理设计头盘界面几何参数以适当减小磁头尾部凸缘的面积,或者提高磁盘的表面质量以降低磁盘面的不平整度.以上措施都可以有效降低分子间作用力的不利影响,提高头盘界面稳定性.
- 王玉娟梁丽陈云飞
- 关键词：硬盘磁头分子间作用力飞行姿态
- 分子间作用力对硬盘磁头承载力的影响被引量：2
- 2008年
- 当硬盘驱动器的磁头飞高降至5nm以下时,磁头与磁盘间的分子间作用力不能忽略。以皮米磁头和飞米磁头为模型,模拟了分子间作用力对飞高低于5nm的磁头总承载力的影响。模拟结果表明,分子间作用力改变了飞高低于5nm的磁头承载特性。分子间吸引力使总承载力减小,甚至出现负值,以致使磁头失去承载能力。当飞高进一步降低时,分子间斥力的作用显现出来。由于分子间引力和斥力的作用范围不同,磁头有一段失去承载能力的临界飞高区间。磁头的尺寸因子不同,临界飞高区间也有差别。
- 梁丽王玉娟陈云飞
- 关键词：磁头分子间作用力
