“上海－应用材料研究与发展”基金(08520740600)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
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- AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究被引量：2
- 2010年
- 考虑了势垒层、缓冲层体陷阱及表面电荷的浓度变化对电流坍塌和膝点电压的影响,发现表面电荷和势垒层体陷阱浓度的变化对沟道电子的浓度影响较小,表面电荷浓度变化下的膝点电压的偏移和坍塌强度的大小与势垒层势阱能量的变化有着主要的关系.缓冲层有着比势垒层更强的局域作用,势垒层和缓冲层的体陷阱浓度在一定范围变化时的膝点电压偏移主要是由沟道电子浓度的变化而引起的,但偏移量却比表面电荷浓度变化的情况下小很多.势阱能量的变化是造成膝点电压偏移的重要原因,坍塌强度主要取决于势阱能量和沟道的电子浓度.
- 王林胡伟达陈效双陆卫
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
- 激光束诱导电流法提取HgCdTe光伏探测器的电子扩散长度被引量：3
- 2009年
- 由于得到HgCdTe扩散长度Lp的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流(LBIC)提取的等效扩散长度L来代替Lp.本文通过二维数值模拟,分析了等效扩散长度L和扩散长度Lp的关系.二者的比例关系为L/Lp=1.1,该基本关系不受器件的关键参数如掺杂浓度、载流子寿命、载流子迁移率等的影响.最后将激光束诱导电流实验所获得的等效扩散长度L进行除1.1因子的修正,给出了实际HgCdTe光伏器件中的电子扩散长度.
- 殷菲胡伟达全知觉张波胡晓宁李志锋陈效双陆卫
- 关键词：碲镉汞
- 吸收层特性和异质结界面电荷对12.5μm长波HgCdTe光伏探测器响应率的影响研究被引量：3
- 2009年
- 研究了12.5μm长波HgCdTe探测器的吸收层厚度和异质结界面电荷对器件光响应率的影响.分析了吸收层厚度与吸收长度、扩散长度之间的联系,获得了设计最佳吸收层厚度的经验公式.研究结果显示入射光波长超过截止波长时,响应率随吸收层厚度增加单调增加,并逐渐饱和.响应率峰值对应的波长随吸收层厚度增加,有向长波偏移的趋势.最佳吸收层厚度值随少子寿命或入射光波长的增大而增大.同时,研究了衬底、钝化层与HgCdTe材料之间异质界面电荷对光响应率的影响,发现正的界面电荷在衬底异质结界面处形成诱导pn结,对响应率影响显著.采用金属-氧化物-半导体二极管模型,分析了其中的内在物理机理,并获得了降低其影响的优化方案.
- 胡伟达殷菲叶振华全知觉胡晓宁李志锋陈效双陆卫
- 关键词：少子寿命
